公开(公告)号：CN109355625B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201811470668.7

申请日：2018-12-04

申请人： 吉林师范大学

发明人： 冯明 ,  李海波 ,  王奥培 ,  刘梅 ,  徐航 ,  赵雪

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01F41/20

摘要： 一种在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PMN‑PT)单晶基片上采用脉冲激光沉积CoFe2O4磁性薄膜的方法，制备薄膜颗粒致密、均匀且磁电效应明显的钴铁氧体铁磁薄膜，获得了明显的面内各向异性，外加面内磁场沿着薄膜不同方向时，薄膜的矫顽场产生了明显的变化，分别采用直流和交流电压调控磁光克尔信号的变化，结果表明薄膜异质结展示了明显的应变诱导的逆磁电耦合效应。

公开(公告)号：CN109355625A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811470668.7

申请日：2018-12-04

申请人： 吉林师范大学

发明人： 冯明 ,  李海波 ,  王奥培 ,  刘梅 ,  徐航 ,  赵雪

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01F41/20

摘要： 一种在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)单晶基片上采用脉冲激光沉积CoFe2O4磁性薄膜的方法，制备薄膜颗粒致密、均匀且磁电效应明显的钴铁氧体铁磁薄膜，获得了明显的面内各向异性，外加面内磁场沿着薄膜不同方向时，薄膜的矫顽场产生了明显的变化，分别采用直流和交流电压调控磁光克尔信号的变化，结果表明薄膜异质结展示了明显的应变诱导的逆磁电耦合效应。

公开(公告)号：CN108930017A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810774700.4

申请日：2018-07-16

申请人： 吉林师范大学

发明人： 冯明 ,  李海波 ,  徐航 ,  赵雪 ,  刘梅

IPC分类号： C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/50

摘要： 采用激光脉冲沉积法在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)单晶表面制备La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜，表面光滑、致密，表面粗糙度低于3.2nm，膜厚均匀一致，高纯度且薄膜间致密。随着测试温度的变化，观察到薄膜表现出了明显的铁磁-顺磁性能变化。通过电压调控磁性能的变化测试，异质结薄膜展示了明显的逆磁电效应，在磁电存储器件、微波器件等方面具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN108930017B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201810774700.4

申请日：2018-07-16

申请人： 吉林师范大学

发明人： 冯明 ,  李海波 ,  徐航 ,  赵雪 ,  刘梅

IPC分类号： C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/50

摘要： 采用激光脉冲沉积法在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PMN‑PT)单晶表面制备La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜，表面光滑、致密，表面粗糙度低于3.2nm，膜厚均匀一致，高纯度且薄膜间致密。随着测试温度的变化，观察到薄膜表现出了明显的铁磁‑顺磁性能变化。通过电压调控磁性能的变化测试，异质结薄膜展示了明显的逆磁电效应，在磁电存储器件、微波器件等方面具有较好的应用前景。