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公开(公告)号：CN116575086A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310692161.0
申请日：2023-06-12
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明属于纳米线制备技术领域，提供了一种离子液体电沉积锡中抑制锡枝晶的方法。本发明的[EMIm]TfO离子液体由于阴阳离子相互作用较弱，在电化学反应过程中容易分解，而GeCl4中的氯离子也易于从分子中脱出。在电沉积的过程中，[EMIm]TfO分解的TfO‑会与GeCl4结合生成GeClx/TfO‑复合物，GeClx/TfO‑复合物被吸附在ITO基片上形成液态种子；SnCl2前驱体被电化学还原并溶入液体种子；液体种子中的锡的过度饱和引发了最终的晶体成核和生长。随后的电沉积过程中由于尖端效应锡离子优先在沉积物顶部放电，使放电局域化，最终抑制了纳米线侧面的沉积物生长，形成超长锡锗纳米线结构。
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公开(公告)号：CN116516421A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310692144.7
申请日：2023-06-12
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明属于纳米线制备技术领域，提供了一种锗纳米线的制备方法。本发明的制备方法使用无毒无污染的绿色离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑三氟甲基磺酸([EMIm]TfO)作为溶剂，GeCl4为电解质。[EMIm]TfO离子液体由于阴阳离子相互作用较弱，在电化学反应过程中容易分解，而GeCl4中的氯离子也易于从分子中脱出。所以，在电沉积过程中，[EMIm]TfO离子液体分解后的TfO‑会与GeCl4结合生成GeClx/TfO‑复合物，GeClx/TfO‑复合物被吸附在ITO基片上形成液态种子；然后，GeCl4前驱体被电化学还原并溶入液体种子；最后，液体种子中锗的过度饱和引发了最终的晶体成核和纳米线的生长。
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公开(公告)号：CN108191434B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810172165.5
申请日：2018-03-01
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： C04B35/596 , C04B35/593
摘要： 本发明涉及一种高热导率、高致密性氮化硅材料的高压快速制备方法，该方法采用高温高压烧结技术，具体步骤是：在高压高温条件下(HPHT，4.5～5.5GPa,1400～1500℃)，采用平均粒径为0.5μm及以上的金刚石、石墨烯、TiN、AlN、MgO、Y2O3粉末等作为烧结助剂，不同质量配比的氮化硅(β‑Si3N4)粉末作为骨架材料制备高热导率、高致密性氮化硅块体材料。本发明所述的制备高性能结构材料的方法是通过β‑Si3N4与助剂的混合粉末烧结技术，形成β‑Si3N4、金刚石、陶瓷硬质相等烧结相，其烧结体具有较高的热导率和致密性(低气孔率)。该方法操作性强，工艺简单，不需要超高温度，可以大大缩短结构材料的合成时间，是一种适用于航空航天、军工、电子等领域的新型陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN111416089A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010279094.6
申请日：2020-04-10
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜及制备方法和使用该隔膜的锂离子电池。由基底隔膜、基底隔膜表面的金属化合物层和金属化合物层上面的导电碳层组成。制备方法是在基底隔膜表面依次涂覆金属化合物层和导电碳层。本申请还包括带有上述复合隔膜的锂离子电池。复合隔膜可以有效抑制锂枝晶的生长以及碳层的脱落，物理诱导锂枝晶的生长方向。该复合隔膜的原料来源广泛，成本低，使用隔膜涂布制备方法，便于大规模制备。
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公开(公告)号：CN110079396A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910327416.7
申请日：2019-04-23
申请人： 吉林师范大学
摘要： 本发明公开了一种利用聚乙二醇合成中产生的尾气吸收液制备车用玻璃水的方法，属于化工有机废气回收再利用的技术领域，目的是综合利用了化工有机废气，充分发挥其吸收后生成吸收液的物化特性，达到变废为宝的目的。本发明以去离子水为吸收剂，氢氧化钠或氢氧化钾为催化剂，在30-60℃吸收尾气，使其浓度达到1wt％～70wt％，再将尾气吸收液与少量具有洗涤功能的表面活性剂进行复配，表面活性剂的用量为总质量的0.1-10％，复配得到玻璃水按照GB/T23436-2009《汽车风窗玻璃清洗液》标准进行测试，测试结果符合国家标准。
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公开(公告)号：CN109355625A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811470668.7
申请日：2018-12-04
申请人： 吉林师范大学
摘要： 一种在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)单晶基片上采用脉冲激光沉积CoFe2O4磁性薄膜的方法，制备薄膜颗粒致密、均匀且磁电效应明显的钴铁氧体铁磁薄膜，获得了明显的面内各向异性，外加面内磁场沿着薄膜不同方向时，薄膜的矫顽场产生了明显的变化，分别采用直流和交流电压调控磁光克尔信号的变化，结果表明薄膜异质结展示了明显的应变诱导的逆磁电耦合效应。
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公开(公告)号：CN105859300B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610205079.0
申请日：2016-04-05
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： C04B35/5831 , C04B35/5835
摘要： 本发明涉及一种金刚石‑立方氮化硼‑碳化硼复合材料的制备方法，该方法采用高温高压烧结技术，具体步骤是：在高温高压条件下（HPHT，5～6 GPa,1350～1500℃），采用粒径为20 nm‑20μm的高纯粉末（Co、Ti、Al、Si等）作为烧结粘结剂，不同含量配比的金刚石、立方氮化硼、碳化硼（B4C）粉末作为原材料制备金刚石‑立方氮化硼‑碳化硼复合材料。本发明所述的制备高性能结构材料的方法是通过金刚石、cBN、B4C与粘结剂的烧结复合技术，复合材料内形成金刚石、氮化硼、合金固溶体、金属陶瓷等烧结相，其烧结体组织结构均匀致密，具有较高的耐热性。该方法操作性强，合成的制品稳定性高，可以填补金刚石和氮化硼复合材料之间的空白，是一种适用于硬质材料的切削加工的新型复合材料。
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公开(公告)号：CN108493414A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810232275.6
申请日：2018-03-20
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
摘要： 一种锂硫电池正极材料及其制备方法，其目的在于提高电子电导率，从而提高锂硫电池正极的容量，改善锂硫电池循环寿命，解决锂硫电池正极容量快速下降，导致电池循环寿命差的问题。通过引入BaTiO3材料，提高正极材料电子电导率，有效提升了电极的容量及循环性能；引入的多孔碳材料具有高比表面积，高孔分布，可以容纳大量的单质硫，保证了硫在复合物中的高含量。硫在多孔碳中的均匀分布可以提升硫的活性物质利用率；多孔碳的孔道结构可以缓解中间产物多硫化锂的溶解流失，降低穿梭效应，提高电池使用寿命和库伦效率；本发明工艺简单、设备简单、制备周期短、易操作，能耗低，环境友好，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106905960A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710099939.1
申请日：2017-02-23
申请人： 吉林师范大学
CPC分类号： C09K11/616 , C01G21/006 , C01P2004/32 , C01P2004/64
摘要： 本发明提供一种调控全无机钙钛矿量子点发光波长的方法，该方法先将PbBr2和十八烯混合，得到混合溶液Ⅰ；然后在惰性环境下，向混合溶液Ⅰ中加入油胺和油酸，得到混合溶液Ⅱ；将反应温度升至120‑160℃，然后将铯前驱体溶液迅速加入混合溶液Ⅱ中，保持此温度5秒钟，然后将量子点分散于溶剂中，得到CsPbBr3量子点溶液；将CsPbBr3量子点溶液滴涂于预先清洗干净的硅衬底上，形成薄膜样品；将薄膜样品置于真空装置中进行加热处理，实现对全无机钙钛矿量子点发光波长进行调控。该方法操作简单，对CsPbBr3量子点进行热处理后可以改变其尺寸大小，实现发光波长可调。
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公开(公告)号：CN106699190A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710001204.0
申请日：2017-01-03
申请人： 吉林师范大学
IPC分类号： C04B35/5831 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/5831 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明属于一种合成条件低、耐热性好、韧性高的用立方氮化硼单晶原生料作为初始原料制备聚晶烧结体的方法。该方法的步骤1.立方氮化硼单晶制备，2.立方氮化硼和烧结助剂均匀混合，3.预压成型、真空预烧处理、叶腊石复合块腔体组装、高压烧结程序完成聚晶立方氮化硼的制备。本发明的方法操作性强，合成条件大幅度降低，其对减少锤耗成本具有重要的现实意义。本发明的方法将为超硬材料刀具的制备提供一种有效的途径。
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