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公开(公告)号:CN101577284B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200810106279.6
申请日:2008-05-09
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/146 , G01T1/24 , H04N5/32
CPC classification number: G01T1/242 , H01L31/085
Abstract: 本申请公开了一种用于测量辐射的半导体探测器和成像装置,其中半导体探测器包括:半导体介质,该半导体介质可以吸收待测量的至少一个能量段的辐射;阳极电极,该阳极电极设置在半导体介质的一个表面上;阴极电极,该阴极电极设置在与所述一个表面相对的半导体介质的另一个表面上;以及信号处理电路,该信号处理电路与所述阳极电极和阴极电极连接,并将检测到的信号处理为表示辐射的能量沉积量的数值,其中,所述半导体介质接收沿着平行于电极平面的方向入射的辐射,并且,所述阳极电极和所述阴极电极沿着辐射的入射方向分成多个间隔开的子电极对,分别用于检测相应能量段的辐射的能量沉积量。
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公开(公告)号:CN102401906A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201010288195.6
申请日:2010-09-19
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24 , H04N5/32 , H01L27/146
CPC classification number: G01T1/247 , G01T1/241 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14659 , H01L27/14676
Abstract: 本申请公开了一种辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法。该辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列,其中每一个像素单元包括;像素电极,用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号;储存电容,用于储存像素电极所收集的电荷信号;复位晶体管,用于清空储存电容中的电荷;缓冲晶体管,用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上;列选通晶体管以及行选通晶体管,其中,列选通晶体管和行选通晶体管串联连接在缓冲晶体管和信号线之间,并响应列选通信号和行选通信号传送相应的像素单元的电压信号。该辐射探测器可用于例如X射线数字成像。
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公开(公告)号:CN102401906B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201010288195.6
申请日:2010-09-19
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24 , H04N5/32 , H01L27/146
CPC classification number: G01T1/247 , G01T1/241 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14659 , H01L27/14676
Abstract: 本申请公开了一种辐射探测器及其成像装置、电极结构和获取图像的方法。该辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列,其中每一个像素单元包括;像素电极,用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号;储存电容,用于储存像素电极所收集的电荷信号;复位晶体管,用于清空储存电容中的电荷;缓冲晶体管,用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上;列选通晶体管以及行选通晶体管,其中,列选通晶体管和行选通晶体管串联连接在缓冲晶体管和信号线之间,并响应列选通信号和行选通信号传送相应的像素单元的电压信号。该辐射探测器可用于例如X射线数字成像。
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公开(公告)号:CN101577284A
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200810106279.6
申请日:2008-05-09
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/146 , G01T1/24 , H04N5/32
CPC classification number: G01T1/242 , H01L31/085
Abstract: 本申请公开了一种用于测量辐射的半导体探测器和成像装置,其中半导体探测器包括:半导体介质,该半导体介质可以吸收待测量的至少一个能量段的辐射;阳极电极,该阳极电极设置在半导体介质的一个表面上;阴极电极,该阴极电极设置在与所述一个表面相对的半导体介质的另一个表面上;以及信号处理电路,该信号处理电路与所述阳极电极和阴极电极连接,并将检测到的信号处理为表示辐射的能量沉积量的数值,其中,所述半导体介质接收沿着平行于电极平面的方向入射的辐射,并且,所述阳极电极和所述阴极电极沿着辐射的入射方向分成多个间隔开的子电极对,分别用于检测相应能量段的辐射的能量沉积量。
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公开(公告)号:CN201852941U
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201020536985.7
申请日:2010-09-19
Applicant: 同方威视技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种辐射探测器及其成像装置和电极结构。该辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列,其中每一个像素单元包括;像素电极,用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号;储存电容,用于储存像素电极所收集的电荷信号;复位晶体管,用于清空储存电容中的电荷;缓冲晶体管,用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上;列选通晶体管以及行选通晶体管,其中,列选通晶体管和行选通晶体管串联连接在缓冲晶体管和信号线之间,并响应列选通信号和行选通信号传送相应的像素单元的电压信号。该辐射探测器可用于例如X射线数字成像。
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