公开(公告)号：CN103913763A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310004796.3

申请日：2013-01-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 李玉兰 ,  张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  牛莉博 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。

公开(公告)号：CN103913763B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310004796.3

申请日：2013-01-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 李玉兰 ,  张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  牛莉博 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。

公开(公告)号：CN203037860U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320005909.7

申请日：2013-01-07

申请人： 同方威视技术股份有限公司 ,  清华大学

发明人： 李玉兰 ,  张岚 ,  李元景 ,  刘以农 ,  牛莉博 ,  傅楗强 ,  江灏 ,  张韡 ,  刘延青 ,  李军

IPC分类号： G01T1/36

摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。