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公开(公告)号：CN105759303A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610188180.X
申请日：2013-04-26
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/36
CPC classification number: G01T1/366
Abstract: 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN105759303B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610188180.X
申请日：2013-04-26
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN103913763A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310004796.3
申请日：2013-01-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
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公开(公告)号：CN105242300B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510417228.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN103913763B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310004796.3
申请日：2013-01-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105242300A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510417228.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN104111470A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410336256.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN103972323A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310038954.7
申请日：2013-01-31
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/241
Abstract: 公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
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公开(公告)号：CN103235332A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310149397.6
申请日：2013-04-26
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN105676264A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610187826.2
申请日：2013-04-26
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/36
CPC classification number: G01T1/366
Abstract: 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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