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公开(公告)号：CN118688844A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410754091.1
申请日：2024-06-12
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种具有表面周期性球壳结构的氟化钡闪烁体器件及其制备方法，该器件包括：氟化钡闪烁体；覆盖在所述氟化钡闪烁体表面的周期性球壳结构阵列，所述周期性球壳结构阵列由若干球壳结构单元以周期六角阵列形式排列而成，每个球壳结构单元由空心的空气核心、以及包裹所述空气核心的壳层组成，其中，所述壳层的材料满足：在220nm发射带透明。与现有技术相比，本发明的器件在辐射探测器中将显著提高氟化钡闪烁体快发光成分的光输出，同时降低慢发光成分的光输出。
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公开(公告)号：CN108130512B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711165986.8
申请日：2017-11-21
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。
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公开(公告)号：CN104851948A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510155285.0
申请日：2015-04-03
申请人： 同济大学
IPC分类号： H01L33/26
CPC分类号： H01L33/26
摘要： 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ-CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ-CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ-CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102496400B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110442455.5
申请日：2011-12-27
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种微柱结构碘化铯（掺铊）[化学式：CsI(Tl)]X射线闪烁转换屏的制备方法及其应用。它提供了一种制备具有微柱结构的CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的方法，该方法以CsI(Tl)为原料，以石英、光纤面板和光纤锥等为衬底，采用热蒸镀技术，通过蒸镀温度、衬底温度和制备气氛等的调节，实现对转换屏微柱形貌、线宽、晶面择优取向等的有效控制，近乎垂直于屏面、结晶性能好的闪烁微柱可引导闪烁光沿微柱方向传播，从而使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，可同时满足高空间分辨率和高探测效率的要求。此方法制备得到的具有微柱结构的CsI(Tl)X射线闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN103060752A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310025713.9
申请日：2013-01-22
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的预镀层辅助制备方法及其应用。该方法采用热蒸镀技术制备预镀层，通过预镀层厚度和退火工艺等的调节，实现使预镀层具有均匀分布的岛状晶粒结构及对其晶粒间距的有效控制，再以CsI(Tl)粉末为原料，采用热蒸镀，在镀有预镀层的衬底上制备后续闪烁薄膜，实现对转换屏微柱形貌、均匀性、线宽、晶面择优取向等的有效控制，近乎垂直于屏面、结晶性能好的闪烁微柱可引导闪烁光沿微柱方向传播，使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，满足高空间分辨率和高探测效率要求。本发明得到具有微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN102466527A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010533348.9
申请日：2010-11-05
申请人： 同济大学
IPC分类号： G01K11/30
摘要： 一种用于中子共振透射谱测温数据处理分析的系统，该系统包括拟合分析模块、面积法分析求解模块、优化厚度求解模块、温度灵敏度与误差数值模拟模块、以及扩展功能模块。应用该系统可对实验中子共振透射谱数据进行多种方法的处理分析获得样品温度等关键参数值，也可对共振测温实验进行数值模拟，以优化实验方案。本发明还公开了一种用于中子共振透射谱测温数据处理分析的方法。使用本发明系统的不同功能模块，可对实验中子共振透射谱数据进行多种方法的处理分析，获得样品温度等关键参数值，也可对共振测温实验进行数值模拟，以优化实验方案。
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公开(公告)号：CN100567450C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200710047796.6
申请日：2007-11-02
申请人： 同济大学
IPC分类号： C09K11/78
摘要： 本发明属于发光厚膜制备技术领域，具体说是涉及一种钽酸钆透明发光厚膜及其制备方法。该发光薄膜的化学表达式为：Gd1-xRxTaO4，其中R为Eu3+或Tb3+，0.04≤x≤0.12。具体步骤为：将Gd2O3和Eu2O3或Gd2O3和Tb4O7用硝酸的2-甲氧基乙醇溶液加热溶解；TaCl5用2-甲氧基乙醇和浓盐酸的混合溶液加热溶解，按化学计量进行混合，冷却至室温，备用；将PVP在室温下溶于2-甲氧基乙醇和去离子水的混合液，再将该溶液滴入前面所述的混合溶液中，搅拌，静置，陈化，即得到镀膜所需的溶胶；以石英玻璃为基底，采用旋涂方法镀膜，将旋涂好的湿凝胶膜进行干凝胶化处理，然后在程序温控炉中，以2℃/min的升温速率，从400℃升温至1200℃，并在该温度下保温2小时，自然冷却至室温，即获得所需发光薄膜，该发光薄膜平均单层厚度达到1μm左右。本发明工艺简单、方便，所制备的薄膜发光强度高、均匀透明、致密无开裂、与基底的附着性好。
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公开(公告)号：CN101255599A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710171815.6
申请日：2007-12-06
申请人： 同济大学
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种大尺寸CuI晶体的生长方法。本发明采用溶液降温与溶剂蒸发相结合的技术，具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点。晶体外形呈长方体，尺寸达到厘米量级。所生长出的CuI晶体为γ相，其纯度高、缺陷少、形貌好和尺寸大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X－射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要价值，同时还可以用做快离子导体。
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公开(公告)号：CN108130512A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711165986.8
申请日：2017-11-21
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏及其制备方法和应用，本发明利用射频反应磁控溅射在基片上制备ZnO种子层薄膜，然后利用低温水热法在基片上形成ZnO:Ga单晶纳米棒阵列，再通过氢气退火处理制得ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏。与现有技术相比，本发明的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列组分稳定、厚度均匀、无开裂，附着于基底十分牢固，闪烁发光性能优异，制得的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列X射线闪烁转换屏可应用于高空间分辨率和高时间分辨率数字X射线成像。
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公开(公告)号：CN103060752B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310025713.9
申请日：2013-01-22
申请人： 同济大学
摘要： 本发明涉及一种微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的预镀层辅助制备方法及其应用。该方法采用热蒸镀技术制备预镀层，通过预镀层厚度和退火工艺等的调节，实现使预镀层具有均匀分布的岛状晶粒结构及对其晶粒间距的有效控制，再以CsI(Tl)粉末为原料，采用热蒸镀，在镀有预镀层的衬底上制备后续闪烁薄膜，实现对转换屏微柱形貌、均匀性、线宽、晶面择优取向等的有效控制，近乎垂直于屏面、结晶性能好的闪烁微柱可引导闪烁光沿微柱方向传播，使X射线成像器件的空间分辨率得到提高，满足高空间分辨率和高探测效率要求。本发明得到具有微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏与光电探测器件耦合后可应用于高分辨率数字X射线成像。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
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