公开(公告)号：CN118891978A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380026963.6

申请日：2023-03-24

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 全政秀 ,  金连来 ,  孙清 ,  吴珍杓 ,  李多恩 ,  李济仑 ,  李钟秀 ,  郑晓燮 ,  黄喆周

IPC分类号： H10N97/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

摘要： 根据示例性实施例的形成电容器电极的方法包括通过喷射含钛(Ti)原料和含氮反应物形成TiN薄膜的步骤和通过喷射含硅(Si)原料和含氮反应物形成SiN薄膜的步骤，且多次喷射含钛(Ti)原料和含硅(Si)原料中的至少一者。因此，根据示例性实施例，当电容器的顶电极和底电极中的至少一者通过层压TiN薄膜和SiN薄膜形成时，SiN薄膜的沉积速率可以被改善，且薄膜的台阶覆盖率可以被改善。