公开(公告)号：CN1267972C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN01806955.X

申请日：2001-03-19

申请人： 和光纯药工业株式会社

发明人： 柿澤政彦 ,  木村真弓 ,  水田浩德 ,  林田一良

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu-CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。

公开(公告)号：CN1872976A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610066697.8

申请日：2001-03-19

申请人： 和光纯药工业株式会社

发明人： 柿澤政彦 ,  木村真弓 ,  水田浩德 ,  林田一良

IPC分类号： C11D3/34 ,  C11D1/66 ,  H01L21/304 ,  C11D3/33

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。

公开(公告)号：CN1419709A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN01806955.X

申请日：2001-03-19

申请人： 和光纯药工业株式会社

发明人： 柿澤政彦 ,  木村真弓 ,  水田浩德 ,  林田一良

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。