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发明公开
一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法无效

公开(公告)号：CN101295724A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710098045.7

申请日：2007-04-26

申请人： 和舰科技(苏州)有限公司

发明人： 高文玉 , 李秋德 , 彭川 , 王科军

IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/8238

摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法，包括：步骤1，在衬底上形成硅薄膜，在硅薄膜上形成场区和P阱和/或N阱，在硅薄膜上方形成栅氧化层，在栅氧化层上沉积多晶硅，形成转移晶体管或重置晶体管的栅电极；步骤2，覆盖光阻膜，暴露出需要植入N型杂质的区域，植入1层或1层以上的N型杂质后去除剩余光阻膜；步骤3，在多晶硅栅电极侧壁形成侧壁电介质，而后再覆盖光阻膜，暴露出需要植入P型杂质的区域，以预定的合适角度植入P型杂质后去除剩余光阻膜，得到PINNED型光电二极管。本发明降低了有源像素的随机噪声，提高了光的吸收效率，节约了一道光刻工艺步骤和光罩掩膜板。