-
公开(公告)号：CN101562151B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810092291.6
申请日：2008-04-15
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L27/02 , H01L27/108
摘要： 本发明提出一种形成金属硅化物的方法。首先，提供一基底，此基底具有第一区域与第二区域，其中第一区域的基底的表面高于第二区域的基底的表面。接着，于第一区域与第二区域的基底上形成多个半导体元件，半导体元件包括多个导电部，且其上预定形成金属硅化物的导电部位于第一区域。随之，形成介电层，以覆盖位于第二区域的导电部。然后，于第一区域的导电部暴露的表面上形成金属硅化物。
-
公开(公告)号：CN102104040A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910261618.2
申请日：2009-12-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8232 , H01L21/762
摘要： 本发明提出了一种具有浅槽隔离结构(STI)的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅基片上沉积的栅氧化层和SiN层，在晶片上蚀刻的凹槽，内衬氧化层，在栅氧化层的角落部分延长线下方的内衬SiN层，在内衬SiN层上方内衬氧化层外部的增厚的氧化物层，和高密度等离子体HDP层。由于有内衬SiN层对硅基片的保护作用，因此在进炉管生长增厚的氧化物层时，不会消耗内部的硅基片，能够保证主动区的特征尺寸CD不会变化。本可以通过采用增厚的氧化物层，可以提高栅氧化层角落部位氧化层的厚度。同时还不会造成现有的STI制造过程中电压漂移，和引起SiN黄光制程空间(photo window)容差变小的问题。
-
公开(公告)号：CN100589240C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200710106056.5
申请日：2007-05-31
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/112 , G11C17/00 , G11C17/16 , G11C11/56
摘要： 本发明提出了一种一次可编程存储器及其制造方法，上述制造方法至少包括以下步骤：步骤1，提供衬底，在上述衬底上形成隔离有源区的场区和阱，在有源区上方形成栅介质层，在栅介质层上形成多晶硅，从而形成多晶硅栅极，采用离子植入工艺植入形成MOS晶体管源极/漏极所需要的至少一种杂质，而后在多晶硅栅极侧面形成至少一个多晶硅侧壁电介质；步骤2，暴露出MOS电容区域，在MOS电容区域再采用离子植入工艺植入与所在的阱反型的杂质，上述杂质与阱形成PN结并覆盖上述至少一种杂质。本发明与现有技术相比，可以解决现有技术中的误存储误读出以及晶体管栅介质易击穿的缺点，还可以缩小OTP存储器的面积。
-
公开(公告)号：CN101501837A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680055512.1
申请日：2006-08-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L21/76807 , H01L21/76897
摘要： 一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法，包括：在沉积有牺牲层(22)的基材(21)上刻蚀出图案，接着填充金属铜；进行化学机械抛光后除去牺牲层，形成金属铜头(23)；沉积金属间绝缘介质(24，25，26，27，28)；定义刻蚀区，对上述金属间绝缘介质(24，25，26，27，28)进行刻蚀，形成无边导通孔。将自对准氮化硅覆层方法用于无边导通孔铜工艺并解决了在氮化硅帽盖打开时金属铜沿氮化硅帽盖、低介电常数材料及微沟槽挤出的问题。对于对准的导通孔，金属铜头上方应力点会远离导通孔底端拐角，利于界面剥离并解决了界面的弱点电阻率问题；对于未对准的导通孔，接邻金属的刻蚀终止层形成覆层用于阻挡通过低介电常数材料的刻蚀。
-
公开(公告)号：CN101501835A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680055457.6
申请日：2006-08-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3086
摘要： 一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法，包括进行衬垫氧化层(12)与氮化硅层(13)的刻蚀；在衬垫氧化层(12)与氮化硅层(13)的侧壁生成氧化物隔离层(14)，并进行浅隔离图案化氧化物隔离层(14)；在氧化物隔离层(14)空隙间注入自对准氮：通过表面快速热氮化形成自对准氮化硅硬掩膜(15)；剥离氧化物隔离层(14)；刻蚀被剥离的氧化物隔离层(14)下方的硅基片(11)；进行氧注入；进行快速热氧化，形成沟槽氧化物；去除晶片上的氮化硅(15)。本发明的方法不需要传统意义的浅沟槽隔离刻蚀，填充以及平坦化等工艺过程，利用自对准氮化硅掩膜就可以实现完全平坦化的隔离氧化物，因此操作简便，成本低。
-
公开(公告)号：CN101459143A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710198540.5
申请日：2007-12-11
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , G03F1/14
摘要： 本发明涉及一种氧化物－氮化物－氧化物和多晶体残余的移除方法，包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，氧化物－氮化物－氧化物层；第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，利用光罩首先蚀刻单元栅极，而后蚀刻逻辑栅极；在第三步中，上述光罩的图形为在外围电路区域全部打开，并且在闪存单元中氧化物－氮化物－氧化物不起作用的部分也打开。本发明通过更改阵列氧化物－氮化物－氧化物蚀刻光罩图形的定义及阵列氧化物－氮化物－氧化物蚀刻方式，在不增加额外光罩层的条件下，将氧化物－氮化物－氧化物围篱及多晶体残余彻底去除，从而显著改善合格率。
-
公开(公告)号：CN101315907A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710106099.3
申请日：2007-05-31
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
发明人： 李秋德
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： 本发明提供一种解决非易失性存储器(NVM)氧氮氧化物残留的制造方法，针对现有制造方法不能清除侧壁上的氧氮氧化物(ONO)残留而发明，包含下列步骤：提供半导体衬底，在衬底上进行第一层多晶硅刻蚀，并在衬底上设置浅槽隔离区域；沉积氧化物填充薄膜于间隙中；大面积回蚀填充于多晶硅间隙中的氧化物，用于平坦化第一层多晶硅阵列中的间隙，从而在高压器件上形成间隔层；沉积氧氮氧化物薄膜；移除逻辑器件上的氧氮氧化物薄膜；沉积第二层多晶硅薄膜，用于形成浮置栅结构；刻蚀第二层多晶硅；刻蚀氧氮氧化物薄膜层；刻蚀第一层多晶硅；刻蚀空隙填充薄膜层和间隔层氧化物。本发明实现了对遗留于侧壁的氧氮氧化物的完全移除，提高产品的存储性能。
-
公开(公告)号：CN101295724A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710098045.7
申请日：2007-04-26
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/8238
摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器的有源像素的制造方法，包括：步骤1，在衬底上形成硅薄膜，在硅薄膜上形成场区和P阱和/或N阱，在硅薄膜上方形成栅氧化层，在栅氧化层上沉积多晶硅，形成转移晶体管或重置晶体管的栅电极；步骤2，覆盖光阻膜，暴露出需要植入N型杂质的区域，植入1层或1层以上的N型杂质后去除剩余光阻膜；步骤3，在多晶硅栅电极侧壁形成侧壁电介质，而后再覆盖光阻膜，暴露出需要植入P型杂质的区域，以预定的合适角度植入P型杂质后去除剩余光阻膜，得到PINNED型光电二极管。本发明降低了有源像素的随机噪声，提高了光的吸收效率，节约了一道光刻工艺步骤和光罩掩膜板。
-
公开(公告)号：CN101192568A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610097969.0
申请日：2006-11-24
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及集成电路中“金属－绝缘体－金属”电容器结构及其制造方法。该结构自下而上包括下电极金属、MIM绝缘介质、上电极金属、绝缘介质和上层互连金属，其特点是：下电极金属下方设有下层互连金属，下电极金属呈网格状或条形状排布，其侧表面衬有侧壁金属层，侧壁金属层的侧表面的上端与下电极金属的上表面之间以圆弧面平滑过渡；上电极金属自上而下罩住所有下电极，上下电极之间均匀填充厚度一致的MIM绝缘介质。本发明使得MIM电容器的芯片占用面积节约一半以上，并且有效解决了边缘漏电和下电极侧壁水平面边缘尖锐引起击穿电压降低两个技术难题。
-
公开(公告)号：CN102104040B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910261618.2
申请日：2009-12-18
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8232 , H01L21/762
摘要： 本发明提出了一种具有浅槽隔离结构(STI)的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅基片上沉积的栅氧化层和SiN层，在晶片上蚀刻的凹槽，内衬氧化层，在栅氧化层的角落部分延长线下方的内衬SiN层，在内衬SiN层上方内衬氧化层外部的增厚的氧化物层，和高密度等离子体HDP层。由于有内衬SiN层对硅基片的保护作用，因此在进炉管生长增厚的氧化物层时，不会消耗内部的硅基片，能够保证主动区的特征尺寸CD不会变化。本可以通过采用增厚的氧化物层，可以提高栅氧化层角落部位氧化层的厚度。同时还不会造成现有的STI制造过程中电压漂移，和引起SiN黄光制程空间(photo window)容差变小的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
48 条记录 (耗时 0.039 秒)
