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公开(公告)号：CN103332692B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310329347.6
申请日：2013-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法，涉及一种纳米线的制备方法。本发明是要解决现有制备碳化硅纳米线的方法存在生产成本高、工艺复杂、制备温度高，不适合大规模生产以及制备出的碳化硅纳米线发光波段窄的技术问题。本发明的制备方法如下：一、清洗衬底；二、磁控溅射；三、高温煅烧。本发明应用于制备碳化硅纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102492922B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110443573.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，它涉及一种石墨烯的制备方法。本发明要解决现在制备石墨烯的方法存在成本高的问题。方法：一、清洗单晶硅片衬底；二、对清洗后单晶硅片衬底进行真空保温处理；三、首先进行启辉，然后进行溅射，即得到GeC原料；四：将GeC原料进行高温灼烧，即得到石墨烯。优点：一、降低了灼烧温度低，达到减低能耗、减成本的目的；二、厚度均匀一致；三、易于转移。本发明主要用于制备石墨烯。本发明主要用于制备石墨烯。
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公开(公告)号：CN103332692A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310329347.6
申请日：2013-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高密度缺陷碳化硅纳米线的制备方法，涉及一种纳米线的制备方法。本发明是要解决现有制备碳化硅纳米线的方法存在生产成本高、工艺复杂、制备温度高，不适合大规模生产以及制备出的碳化硅纳米线发光波段窄的技术问题。本发明的制备方法如下：一、清洗衬底；二、磁控溅射；三、高温煅烧。本发明应用于制备碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN103058193A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310029540.8
申请日：2013-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金属镍/非晶碳叠层制备碳化硅纳米线的方法，它涉及制备碳化硅纳米线的方法，本发明要解决现有制备碳化硅纳米线方法中存在制备温度高、能耗大的问题。本发明中一种采用金属镍/非晶碳叠层制备碳化硅纳米线的方法按以下步骤进行：一、衬底材料的清洗；二、溅射前的准备：抽真空、加热及保温；三、磁控溅射方法镀碳膜；四、磁控溅射方法镀镍膜；五、制得金属镍/非晶碳叠层；六、高温退火制得碳化硅纳米线。本发明方法是一种低温、无氢、大尺寸且高质量的制备碳化硅纳米线方法。本发明方法可应用于纳米材料的制备与生产领域。
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公开(公告)号：CN103058193B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310029540.8
申请日：2013-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金属镍/非晶碳叠层制备碳化硅纳米线的方法，它涉及制备碳化硅纳米线的方法，本发明要解决现有制备碳化硅纳米线方法中存在制备温度高、能耗大的问题。本发明中一种采用金属镍/非晶碳叠层制备碳化硅纳米线的方法按以下步骤进行：一、衬底材料的清洗；二、溅射前的准备：抽真空、加热及保温；三、磁控溅射方法镀碳膜；四、磁控溅射方法镀镍膜；五、制得金属镍/非晶碳叠层；六、高温退火制得碳化硅纳米线。本发明方法是一种低温、无氢、大尺寸且高质量的制备碳化硅纳米线方法。本发明方法可应用于纳米材料的制备与生产领域。
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公开(公告)号：CN102492922A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110443573.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，它涉及一种石墨烯的制备方法。本发明要解决现在制备石墨烯的方法存在成本高、能耗高的问题。方法：一、清洗单晶硅片衬底；二、对清洗后单晶硅片衬底进行真空保温处理；三、首先进行启辉，然后进行溅射，即得到GeC原料；四：将GeC原料进行高温灼烧，即得到石墨烯。优点：一、降低了灼烧温度低，达到减低能耗、减成本的目的；二、厚度均匀一致；三、易于转移。本发明主要用于制备石墨烯。本发明主要用于制备石墨烯。
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