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公开(公告)号：CN119858913A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510066607.8
申请日：2025-01-16
IPC: C01B32/205 , C01B32/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/587 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及钠离子电池负极材料制备领域，尤其涉及一种混合型软硬碳材料的制备方法及其钠离子电池应用。其方法是通过在四氢呋喃溶液中将聚膦腈和沥青混合，沥青溶解后填充在聚膦腈纳米管丰富的孔隙中，在随后的碳化过程中转化为闭孔，修复硬碳表面和内部缺陷。该方法具有操作简单、成本低、产量大、环保等优点，制备得到的混合型软硬碳材料材料具有更小的比表面积、更少的表面缺陷、更多的闭孔数量，同时具有优异的导电性，做为钠离子电池负极材料时，具有优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN113588773B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110863544.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/74
Abstract: 本发明提供了一种冠状病毒粒子检测装置，涉及病毒检测技术领域。本发明所述的冠状病毒粒子检测装置，包括石英基板、吹气嘴以及自旋波干涉仪，所述石英基板上设置铁磁流体，所述吹气嘴与所述石英基板连接，所述自旋波干涉仪与所述铁磁流体连接，所述铁磁流体适于在所述吹气嘴吹入带有冠状病毒粒子的空气或气溶胶后产生磁性变化，所述自旋波干涉仪的相干自旋波适于在所述铁磁流体磁性变化后产生相位差变化。本发明所述的技术方案，通过设置铁磁流体在与带有冠状病毒粒子的空气或气溶胶接触后产生磁性变化进而引起自旋波干涉仪的相干自旋波的相位差变化，通过检测相干自旋波的相位差变化能够确认是否含有冠状病毒粒子，实现冠状病毒粒子的快速检测。
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公开(公告)号：CN114310530B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111469456.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种应用于半导体衬底片加工的自动装卸顶出结构，包括底座，所述底座上设置有用于输送碳化硅衬底片的输送通道，所述输送通道上设置有加工区域，所述加工区域一侧设置有碳化硅衬底片储存桶组件，所述碳化硅衬底片储存桶组件一侧的所述输送通道上连接有用于将所述碳化硅衬底片储存桶组件内的碳化硅衬底片顶出至所述加工区域的推送组件，所述加工区域四周设置有用于夹持处于所述加工区域内的碳化硅衬底片的夹持组件，夹紧装置和研磨装置自动为上料过程让位，上料完毕后夹紧装置自动夹紧，并且研磨装置自动进给研磨，最后下次上料时，将已研磨完毕的碳化硅衬底片自动送出，一体化联动自动加工，减少人力物力的投入。
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公开(公告)号：CN114752997B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210438009.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种双坩埚液相外延生长装置，涉及液相外延生长设备技术领域，包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚，两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。本发明通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈，提高薄膜的质量和制备效率，有利于进行批量化生产。
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公开(公告)号：CN113588773A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110863544.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/74
Abstract: 本发明提供了一种冠状病毒粒子检测装置，涉及病毒检测技术领域。本发明所述的冠状病毒粒子检测装置，包括石英基板、吹气嘴以及自旋波干涉仪，所述石英基板上设置铁磁流体，所述吹气嘴与所述石英基板连接，所述自旋波干涉仪与所述铁磁流体连接，所述铁磁流体适于在所述吹气嘴吹入带有冠状病毒粒子的空气或气溶胶后产生磁性变化，所述自旋波干涉仪的相干自旋波适于在所述铁磁流体磁性变化后产生相位差变化。本发明所述的技术方案，通过设置铁磁流体在与带有冠状病毒粒子的空气或气溶胶接触后产生磁性变化进而引起自旋波干涉仪的相干自旋波的相位差变化，通过检测相干自旋波的相位差变化能够确认是否含有冠状病毒粒子，实现冠状病毒粒子的快速检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112023959A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202011023638.9
申请日：2020-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/185 , C25B11/06 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种相结型NiP2电催化剂及其制备方法和应用，属于电催化剂技术领域。所述相结型NiP2电催化剂包括导电基底和原位生长于所述导电基底上的NiP2催化剂，所述NiP2催化剂包括单斜相NiP2和立方相NiP2。本发明采用真空封管和高温烧结，构筑了富磷相磷化镍纳米片，同时电催化剂具有m相NiP2和c相NiP2形成的独特异质结结构，成功解决了不同物质之间形成复合催化剂的界面电阻和界面空隙问题，并可优化界面电子排布、促进Volmer反应的发生，因此具有优异的析氢催化性能和结构稳定性。
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公开(公告)号：CN111270205A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010099720.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。
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公开(公告)号：CN104944418B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510337459.5
申请日：2015-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种一步原位制备氮含量和种类可调的掺杂石墨烯的方法，它涉及一种制备氮含量和种类可调控的掺杂石墨烯的方法。本发明的目的是要解决目前氮掺杂石墨烯制备工艺复杂，制备成本较高，难以工业化以及制备的氮掺杂石墨烯中氮元素含量和种类可控的问题，本发明方法为：将氮化碳放入一端密封的石英管中，在石英管开口端放置圆柱形石英堵头，将石英管转移至管式炉中，在惰性气氛保护下进行升温，保温，继续升温，并保温来调控氮掺杂石墨烯种氮元素含量和种类，即完成。本发明方法简单，环境友好，氮掺杂石墨烯种氮元素的含量和种类可控，可用于替代商业Pt/C作为氧还原催化剂，本发明应用于电池、光催化、催化氧化、气体传感器和药物输运领域。
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公开(公告)号：CN103248471A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310192223.8
申请日：2013-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04L7/00
Abstract: 基于PTP协议与反射内存网的时钟同步方法，涉及虚拟仿真试验技术领域。本发明解决了现有的通信方法由于网络的不平稳性使得时钟同步的精度低的问题，提出了基于PTP协议与反射内存网的时钟同步方法。该方法适用于对虚拟仿真试验中主机和节点设备之间的时钟同步，主机和节点设备上插一块反射内存卡，反射内存卡之间通过光纤进行数据传输，步骤一：构建主从时钟；步骤二：偏移校正阶段：步骤三：重复偏移校正；步骤四：数据处理算法得到偏移值；步骤五：得到最佳拟合值；步骤六：延时矫正阶段；步骤七：重复延时矫正；步骤八：数据处理算法得到延时值；步骤九：得到最佳拟合值，完成主时钟和从时钟的时钟同步。本发明适用于虚拟仿真试验。
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公开(公告)号：CN103072958A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310038747.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/00
Abstract: 锰基反钙钛矿型氮化物的制备方法，它涉及反钙钛矿型氮化物的制备方法。它要解决现有反钙钛矿型氮化物制备方法反应时间长，制备方法较复杂的问题。制备方法：一、碱金属氮化物、锰粉与金属单质粉磨碎混合，压制成片；二、混合料压片放入反应容器中，在氮气的保护下微波加热，或者将混合料压片放入反应容器中，再将反应容器放入石英管中，石英管抽真空后充入氮气，包裹上加热介质，微波加热得到反应物；三、反应物取出放入去离子水中浸泡，干燥后得到锰基反钙钛矿型氮化物。本发明的制备方法简单，成本低廉，微波加热功率为800W时，仅需10～30分钟即可快速合成锰基反钙钛矿型氮化物。本发明主要应用于锰基反钙钛矿型氮化物的合成。
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