公开(公告)号：CN102995124A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201310006222.X

申请日：2013-01-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩杰才 ,  宋波 ,  金雷 ,  张化宇

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

Abstract: 一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。

公开(公告)号：CN102995124B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201310006222.X

申请日：2013-01-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩杰才 ,  宋波 ,  金雷 ,  张化宇

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

Abstract: 一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。

公开(公告)号：CN103072958A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310038747.1

申请日：2013-01-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩杰才 ,  宋波 ,  银颖 ,  元泉 ,  金雷 ,  赵超亮

IPC: C01B21/00

Abstract: 锰基反钙钛矿型氮化物的制备方法，它涉及反钙钛矿型氮化物的制备方法。它要解决现有反钙钛矿型氮化物制备方法反应时间长，制备方法较复杂的问题。制备方法：一、碱金属氮化物、锰粉与金属单质粉磨碎混合，压制成片；二、混合料压片放入反应容器中，在氮气的保护下微波加热，或者将混合料压片放入反应容器中，再将反应容器放入石英管中，石英管抽真空后充入氮气，包裹上加热介质，微波加热得到反应物；三、反应物取出放入去离子水中浸泡，干燥后得到锰基反钙钛矿型氮化物。本发明的制备方法简单，成本低廉，微波加热功率为800W时，仅需10～30分钟即可快速合成锰基反钙钛矿型氮化物。本发明主要应用于锰基反钙钛矿型氮化物的合成。