公开(公告)号：CN104835969B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510278697.3

申请日：2015-05-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张雁祥 ,  闫牧夫 ,  王祎雪 ,  张华良 ,  李怀旭

IPC: H01M4/88

Abstract: 一种制备高比表面积多孔电极的方法，它涉及一种多孔电极的制备方法。发明的目的是要解决现有使用溶液浸渍法制备的纳米结构电极需要多次浸渍，制备效率低、重复率低和使用的化学溶液对环境污染大的问题。方法：将多孔电解质/电介质和催化剂靶材悬挂在脉冲等离子体多元共渗炉的试样架上，再进行抽真空，再保压；先通入氢气，再通入氢气和氩气，再进行保温，得到多孔电极；即完成一种制备高比表面积多孔电极的方法。使用本发明方法制备的多孔电极与使用现有溶液浸渍法相比，可在几小时内形成高比表面多孔电极，与现有的溶液浸渍法相比，制备周期缩短十几倍，因此也降低了成本。本发明可获得一种制备高比表面积多孔电极的方法。

公开(公告)号：CN104835969A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510278697.3

申请日：2015-05-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张雁祥 ,  闫牧夫 ,  王祎雪 ,  张华良 ,  李怀旭

IPC: H01M4/88

CPC classification number: H01M4/88 ,  H01M4/8605

Abstract: 一种制备高比表面积多孔电极的方法，它涉及一种多孔电极的制备方法。发明的目的是要解决现有使用溶液浸渍法制备的纳米结构电极需要多次浸渍，制备效率低、重复率低和使用的化学溶液对环境污染大的问题。方法：将多孔电解质/电介质和催化剂靶材悬挂在脉冲等离子体多元共渗炉的试样架上，再进行抽真空，再保压；先通入氢气，再通入氢气和氩气，再进行保温，得到多孔电极；即完成一种制备高比表面积多孔电极的方法。使用本发明方法制备的多孔电极与使用现有溶液浸渍法相比，可在几小时内形成高比表面多孔电极，与现有的溶液浸渍法相比，制备周期缩短十几倍，因此也降低了成本。本发明可获得一种制备高比表面积多孔电极的方法。