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公开(公告)号：CN115168806B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210762632.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/18 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种半导体材料离位阈能的计算方法，包括以下步骤：构建由半导体材料组成的超胞，并对其结构进行优化，使各原子均处于各自的平衡位置；以目标原子为中心，选取一个速度方向，设定初始动能，进行目标原子运动的分子动力学模拟，通过重复尝试最终得到的能够产生Frankel缺陷所对应的动能，即为目标原子沿该速度方向离开自身位置形成缺陷所需的最小能量；对得到的数据进行分析，得到目标原子的离位阈能。本发明通过仿真模拟的方法构建半导体材料的超胞，并以目标原子为球心均匀选择多个速度方向，计算目标原子沿不同速度方向的离位阈能范围，并达到设定的精度，得到目标原子的离位阈能和平均离位阈能数据，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN117725870A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311603779.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种用于HTB器件的Vbic模型特征参数的提取方法，双极型晶体管器件的技术领域。所述的提取方法包括：对模型公式进行一般性表述，对于所有非PDE的模型，使用模型公式M表达；对模型公式M的所有参数进行初值的假设，并对公式集进行敏感度评估；基于敏感度评估，挑选出权重大于设定范围的参数；基于权重大于设定范围的参数，进行求解。
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公开(公告)号：CN115659695A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211405329.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质。该方法包括：构建肖特基‑里德‑霍尔体复合模型，肖特基‑里德‑霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度；将第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，根据第二界面态陷阱浓度构建出肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型；构建电子连续性方程和空穴连续性方程；将肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型分别与电子连续性方程和空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型；利用晶体管界面态模型对晶体管在不同第二界面态陷阱浓度下的基极电流进行仿真。本技术方案的有益效果是：通过仿真模拟界面态对晶体管基极电流的影响，避免了进行繁琐的地面实验，节约了成本。
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公开(公告)号：CN115203917A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210762733.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06K9/62 , G06Q10/04 , G06F17/18 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于空间辐照的PKA信息的智能预测方法及系统。所述方法包括：从数据集中获取样本数据，并将所述样本数据划分为训练集和测试集，所述样本数据包括入射粒子的信息以及入射粒子辐照器件后产生的PKA的信息；定义所述训练集和所述测试集中分别使用的自变量和因变量；根据所述自变量和所述因变量建立线性回归模型；对所述线性回归模型进行评估；根据对所述线性回归模型的评估结果确定线性回归的预测次数。本发明通过人工智能计算和预测仿真方法，可以预测不同辐照条件下材料产生的PKA相应信息，进而分析PKA信息对半导体器件辐照损伤过程的影响，为器件辐照损伤实时性分析、材料选取提供重要依据，且预测效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN115188423A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210759874.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C10/00 , G06F30/23 , G06F17/12 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种入射粒子辐照产生PKA过程的分子动力学仿真方法及系统，所述方法包括：建立初始模型，并设定边界条件以及各入射粒子的初始位置坐标和初始速度；采用基于嵌入原子势的势函数来描述原子间的相互作用；设置模拟的时间步长，并基于Gear预估‑校正算法，求解各个入射粒子的运动方程，得到各时刻入射粒子的位置坐标和运动参数；根据各时刻入射粒子的位置坐标和运动参数得到入射粒子的运动轨迹。本发明采用MD方法在时间和空间尺度对入射粒子与晶格原子碰撞产生PKA的过程进行模拟，为观察微观体系中不同缺陷的产生过程、捕获实验条件难以发现的微观现象提供分析基础，为核材料的选取和设计提供重要依据和思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115169101A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759699.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于层状结构计算吸收剂量深度分布谱的方法，属于航天器空间环境分析技术领域。方法包括：S1、测量试件的几何结构参数，所述几何结构参数包括总厚度H；S2、根据所述总厚度H，利用插值方法将试件划分为n层，计算深度分布，所述n为大于1的整数；S3、计算步骤S2中每层吸收剂量；S4、依据步骤S2中计算得到的所述深度分布数值和步骤S3中计算得到的每层所述吸收剂量数值，构建吸收剂量深度分布谱。本发明利用插值方法，将简化的平板结构细致分层，之后计算各层平行平板的吸收剂量，构建吸收剂量随深度分布谱，有利于通过简化结构提高计算效率，不仅能够大幅度降低试验成本，还可以大幅度提高模拟效率。
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公开(公告)号：CN115168806A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762632.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/18 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种半导体材料离位阈能的计算方法，包括以下步骤：构建由半导体材料组成的超胞，并对其结构进行优化，使各原子均处于各自的平衡位置；以目标原子为中心，选取一个速度方向，设定初始动能，进行目标原子运动的分子动力学模拟，通过重复尝试最终得到的能够产生Frankel缺陷所对应的动能，即为目标原子沿该速度方向离开自身位置形成缺陷所需的最小能量；对得到的数据进行分析，得到目标原子的离位阈能。本发明通过仿真模拟的方法构建半导体材料的超胞，并以目标原子为球心均匀选择多个速度方向，计算目标原子沿不同速度方向的离位阈能范围，并达到设定的精度，得到目标原子的离位阈能和平均离位阈能数据，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN115146848A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762708.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于不同入射粒子与物质相互作用的智能预测方法及系统。方法包括：获取数据库中的样本数据，并将样本数据划分为训练集和测试集；分别定义训练集和测试集中的自变量和因变量，其中，自变量为入射粒子的参数信息，因变量为入射粒子辐照导致的物理损伤信息；建立回归方程，获取不同入射粒子对器件造成的物理损伤；基于知识图谱，对入射粒子对器件造成的物理损伤信息进行语义分析。本发明通过对拥有不同参数入射粒子对器件辐照损伤造成的缺陷以及由缺陷导致的材料性能退化及多种物理机制进行智能预测，并进一步将物理现象转换为语义特征，通过机器学习方法计算、学习分析，提高预测效率，为半导体器件的材料选取提供重要依据。
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公开(公告)号：CN115146516A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210762740.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F16/22 , G06F40/18 , G06F111/10 , G06F111/14
Abstract: 本发明提供了一种基于空间辐照的不同入射粒子类型的仿真方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述仿真方法包括：构建入射粒子的参数类型数据库，其中，所述参数类型数据库包括所述入射粒子的参数列表，所述参数列表是根据所述入射粒子的不同参数的之间的对应关系生成的表单；调用与标定入射粒子对应的参数列表，根据所述参数列表对所述标定入射粒子进行可视化仿真。本发明实现了对不同入射粒子类型进行仿真的目的，便于对不同类型入射粒子与物质相互作用仿真进行研究，从而便于研究缺陷浓度对航天器件材料宏观性能的影响。
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公开(公告)号：CN115186465B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202210768685.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/15 , G06F113/28
Abstract: 本发明提供了一种计算单机内部深度‑剂量曲线的方法，属于空间环境分析技术领域。方法包括：S1、计算输入的深度‑剂量曲线，选取所要分析的空心的单机壳体；S2、进行射线跟踪分析，获取每一个扇形区域的屏蔽深度值；S3、将每一个扇形区域的屏蔽深度值与输入的深度‑剂量曲线的屏蔽深度值进行加和，之后依据加和的屏蔽深度值计算出对应的剂量值，以输入的深度‑剂量曲线的屏蔽深度值和依据加和的屏蔽深度值计算得到的剂量值构建输出的深度‑剂量曲线；S4、根据每一个扇形区域的权重对输出的深度‑剂量曲线进行累加，构建单机内部的深度‑剂量曲线。本发明实现了高效、精确地将外部环境的深度‑剂量曲线转化为单机壳体的深度‑剂量曲线。
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