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公开(公告)号：CN110823934B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201911142344.5
申请日：2019-11-20
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N23/207 , G01N23/20033 , G01N23/20025
摘要： 本发明提供了一种样品表面微纳米膜层高温相变的原位测量方法，包括步骤一、微纳米膜层样品预处理：将微纳米膜层材料切割成方形样品，保持样品表面清洁无污染；步骤二、微纳米膜层样品安装：将微纳米膜层样品置于自制专用加热样品台上，专用加热样品台由PID加热台加热，PID加热台由蓄电池供电；步骤三、样品表面微纳米膜层的温度校准；步骤四、样品表面微纳米膜层的常温XRD图谱采集；步骤五、样品表面微纳米膜层的高温XRD图谱原位测量。本发明能够实现样品表面微纳米膜层高温相变的原位测试，且能精确获得样品表面微纳米膜层材料的相变规律。
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公开(公告)号：CN111610210B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010341549.2
申请日：2020-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01B15/06 , G01B15/08
摘要： 本发明公开了用于表征材料局域应变分布特性的SEM‑DIC散斑制备方法；属于光测力学、变形测量的技术领域。本发明解决现有技术中散斑分辨率低、散斑点分布不均匀性、适用性差，以及难以实现SEM‑DIC应变分析等问题。散斑制备：配制纳米二氧化硅悬浊液；待测样品前处理；待测样品表面散斑制备，散斑图像质量评价。本发明散斑的制备方法简单、快速、适应性强、低成本、实用性强、同时制备的散斑图案分散度好、精度高且不损伤样品表面状态，可以同时准确获得加载过程中样品表面的局部应变分布规律和相对应区域的表面形貌演变规律。
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公开(公告)号：CN111610210A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010341549.2
申请日：2020-04-27
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01B15/06 , G01B15/08
摘要： 本发明公开了用于表征材料局域应变分布特性的SEM-DIC散斑制备方法；属于光测力学、变形测量的技术领域。本发明解决现有技术中散斑分辨率低、散斑点分布不均匀性、适用性差，以及难以实现SEM-DIC应变分析等问题。散斑制备：配制纳米二氧化硅悬浊液；待测样品前处理；待测样品表面散斑制备，散斑图像质量评价。本发明散斑的制备方法简单、快速、适应性强、低成本、实用性强、同时制备的散斑图案分散度好、精度高且不损伤样品表面状态，可以同时准确获得加载过程中样品表面的局部应变分布规律和相对应区域的表面形貌演变规律。
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公开(公告)号：CN110823934A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911142344.5
申请日：2019-11-20
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G01N23/207 , G01N23/20033 , G01N23/20025
摘要： 本发明提供了一种样品表面微纳米膜层高温相变的原位测量方法，包括步骤一、微纳米膜层样品预处理：将微纳米膜层材料切割成方形样品，保持样品表面清洁无污染；步骤二、微纳米膜层样品安装：将微纳米膜层样品置于自制专用加热样品台上，专用加热样品台由PID加热台加热，PID加热台由蓄电池供电；步骤三、样品表面微纳米膜层的温度校准；步骤四、样品表面微纳米膜层的常温XRD图谱采集；步骤五、样品表面微纳米膜层的高温XRD图谱原位测量。本发明能够实现样品表面微纳米膜层高温相变的原位测试，且能精确获得样品表面微纳米膜层材料的相变规律。
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