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公开(公告)号：CN110004414A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910300279.8
申请日：2019-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种大面积单元素二维材料制备设备及制备方法，所述设备包括气氛调节装置、低温冷却装置、气管、真空调节装置、循环水装置和蒸发沉积装置。该设备的设计可以显著缩短材料制备的准备和反应时间、降低了生产成本、提高了生产效率。受制于设备自身的尺寸，而不是本发明所提出的方法的局限性，本发明可在四英寸硅片上制备大面积单元素二维碲薄膜材料，亦可以在未被光刻胶覆盖的衬底制备出二维单元素薄膜，其尺寸、厚度和位置可控。
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