公开(公告)号：CN105350054B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510829714.8

申请日：2015-11-25

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  上海空间电源研究所

Inventor： 方海涛 ,  李霏 ,  王慧鑫 ,  郭瑞 ,  苗成成

IPC: C25D13/02 ,  C25D13/22 ,  H01M2/14 ,  H01M2/16

Abstract: 一种通过电泳沉积实现二次电池隔膜表面用纳米碳材料改性的方法。本发明涉及一种对二次电池隔膜表面用纳米碳材料改性的方法。本发明的目的是要解决现有涂覆法在制备超薄纳米碳层改性隔膜时隔膜底层暴露，以及现有喷涂法在制备薄纳米碳层改性隔膜时纳米碳层表面分布不均匀的问题。本发明方法的步骤是：一、制备稳定纳米碳材料分散液；二、电泳沉积；三、压制，得到纳米碳材料表面改性隔膜。本发明的方法可控性强，可精确调控单位面积隔膜上沉积纳米碳材料的量，同时可有效避免隔膜底层暴露和纳米碳层不均匀的问题。工艺过程简单，生产成本低。

公开(公告)号：CN105350054A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510829714.8

申请日：2015-11-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 方海涛 ,  李霏 ,  王慧鑫 ,  苗成成

IPC: C25D13/02 ,  C25D13/22 ,  H01M2/14 ,  H01M2/16

CPC classification number: C25D13/02 ,  C25D13/22 ,  H01M2/145 ,  H01M2/1646 ,  H01M2/1686

Abstract: 一种通过电泳沉积实现二次电池隔膜表面用纳米碳材料改性的方法。本发明涉及一种对二次电池隔膜表面用纳米碳材料改性的方法。本发明的目的是要解决现有涂覆法在制备超薄纳米碳层改性隔膜时隔膜底层暴露，以及现有喷涂法在制备薄纳米碳层改性隔膜时纳米碳层表面分布不均匀的问题。本发明方法的步骤是：一、制备稳定纳米碳材料分散液；二、电泳沉积；三、压制，得到纳米碳材料表面改性隔膜。本发明的方法可控性强，可精确调控单位面积隔膜上沉积纳米碳材料的量，同时可有效避免隔膜底层暴露和纳米碳层不均匀的问题。工艺过程简单，生产成本低。