一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116102352B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310054306.4

    申请日:2023-02-03

    Abstract: 一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于储能材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有储能陶瓷材料无法兼顾优异的温度稳定性、抗疲劳性和低电场高储能密度的储能特性的技术问题。本发明的储能陶瓷的化学通式为xNaNbO3‑(1‑x)(Bi0.5‑yRyNa0.5)TiO3‑zMe,其中0.1≤x≤1,0.05≤y≤0.25,0≤z≤0.1,R是稀土离子,Me是生长助剂。方法:以NN‑BRNT细晶为基体,以径向比>5的NN片状微晶为模板,采用模板晶粒定向生长技术,在生长助剂的作用下,制备沿[001]择优取向的高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷。

    一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110078508A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910376602.X

    申请日:2019-05-07

    Abstract: 一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用,本发明属于功能陶瓷材料领域,具体涉及一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有压电陶瓷机械品质因数、居里温度偏低的问题。压电陶瓷的化学通式为0.49Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.21Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.30PbTiO3:xMn2+,其中x为摩尔分数,0<x≤0.05。首先合成铌酸铟和铌酸锌前驱体,然后以InNbO4,ZnNb2O6,PbO,TiO2和MnO2为原材料制备陶瓷片,最后进行抛光镀银以及热极化处理,得到锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷。压电陶瓷用于压电径向振动系统。

    振幅调控均匀场环阵超声换能器

    公开(公告)号:CN107716258B

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201711177891.8

    申请日:2017-11-23

    Inventor: 曹文武 周起 边浪

    Abstract: 振幅调控均匀声场环阵超声换能器,属于超声换能器设计技术领域。本发明是为了解决超声换能器近场的声场强度不均匀,影响超声实验结果的问题。它包括N个环阵阵元和N‑1个可调电阻,N个环阵阵元由内向外依次通过树脂套接形成一个圆盘;将N个环阵阵元由外向内依次排序为0,1,2,……,N‑1,其中第1,2,3,……,N‑1个环阵阵元分别串联一个可调电阻,将N个环阵阵元并联后,与单通道驱动电源连接;通过调节每个可调电阻的阻值来调控相应环阵阵元的振幅,从而调节换能器近场区域的声场强度分布。本发明可以消除换能器近场的不均匀场强空间分布状况。

    振幅调控均匀场环阵超声换能器

    公开(公告)号:CN107716258A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711177891.8

    申请日:2017-11-23

    Inventor: 曹文武 周起 边浪

    CPC classification number: B06B1/0625 A61N7/00 B06B3/00 B06B2201/76

    Abstract: 振幅调控均匀声场环阵超声换能器,属于超声换能器设计技术领域。本发明是为了解决超声换能器近场的声场强度不均匀,影响超声实验结果的问题。它包括N个环阵阵元和N-1个可调电阻,N个环阵阵元由内向外依次通过树脂套接形成一个圆盘;将N个环阵阵元由外向内依次排序为0,1,2,……,N-1,其中第1,2,3,……,N-1个环阵阵元分别串联一个可调电阻,将N个环阵阵元并联后,与单通道驱动电源连接;通过调节每个可调电阻的阻值来调控相应环阵阵元的振幅,从而调节换能器近场区域的声场强度分布。本发明可以消除换能器近场的不均匀场强空间分布状况。

    一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116102352A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310054306.4

    申请日:2023-02-03

    Abstract: 一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于储能材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有储能陶瓷材料无法兼顾优异的温度稳定性、抗疲劳性和低电场高储能密度的储能特性的技术问题。本发明的储能陶瓷的化学通式为xNaNbO3‑(1‑x)(Bi0.5‑yRyNa0.5)TiO3‑zMe,其中0.1≤x≤1,0.05≤y≤0.25,0≤z≤0.1,R是稀土离子,Me是生长助剂。方法:以NN‑BRNT细晶为基体,以径向比>5的NN片状微晶为模板,采用模板晶粒定向生长技术,在生长助剂的作用下,制备沿[001]择优取向的高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷。

    一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110078508B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN201910376602.X

    申请日:2019-05-07

    Abstract: 一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用,本发明属于功能陶瓷材料领域,具体涉及一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有压电陶瓷机械品质因数、居里温度偏低的问题。压电陶瓷的化学通式为0.49Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.21Pb(Zn1/3Nb2/3)O3‑0.30PbTiO3:xMn2+,其中x为摩尔分数,0<x≤0.05。首先合成铌酸铟和铌酸锌前驱体,然后以InNbO4,ZnNb2O6,PbO,TiO2和MnO2为原材料制备陶瓷片,最后进行抛光镀银以及热极化处理,得到锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷。压电陶瓷用于压电径向振动系统。

    一种可用于浅皮下透皮给药的小型换能器及其制作方法

    公开(公告)号:CN115105738B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202210550607.1

    申请日:2022-05-20

    Inventor: 杨彬 边浪

    Abstract: 本发明创造提供了一种可用于浅皮下透皮给药的小型换能器及其制作方法,属于超声治疗技术领域。解决了现有换能器在透皮给药过程中给皮下深处细胞带来损伤的问题。它包括曲面匹配层、曲面压电陶瓷片和外壳,曲面压电陶瓷片的形状为凹面球冠形,曲面压电陶瓷片设置在金属外壳内,曲面压电陶瓷片的凹面朝上,凸面朝下,曲面压电陶瓷片与金属外壳之间通过环氧树脂粘接固定,曲面压电陶瓷片上表面电极与金属外壳以速干银浆连接导通,在曲面压电陶瓷的上表面铺设一层曲面匹配层,且曲面匹配层与压电陶瓷之间以环氧树脂粘接,曲面匹配层与曲面压电陶瓷形状相适应,在曲面压电陶瓷片的下表面与金属外壳的内壁上分别焊接一根导线。本发明创造适用于透皮给药。

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