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公开(公告)号：CN103290367B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310206650.7
申请日：2013-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，它涉及薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，本发明要解决现有的普通工艺得到的Mo薄膜存在表面粗糙、结构和几何均匀性差，电学及声学性能难以满足压电堆电极要求，以及其与AlN薄膜特性差异大，结合强度低的问题。本发明中一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法按以下步骤进行:一、清洗单晶硅衬底材料;二、进行单晶硅衬底表面离子清洗;三、在单晶硅衬底表面沉积Mo薄膜;四、对Mo薄膜表面进行氮化处理。本发明制备的Mo薄膜电极，表面平整，粗糙度低、结构和几何均匀性好，电学及声学性能优良。本发明可应用于电子材料技术领域。
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公开(公告)号：CN103290367A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310206650.7
申请日：2013-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，它涉及薄膜体声波谐振器下电极的制备方法，本发明要解决现有的普通工艺得到的Mo薄膜存在表面粗糙、结构和几何均匀性差，电学及声学性能难以满足压电堆电极要求，以及其与AlN薄膜特性差异大，结合强度低的问题。本发明中一种薄膜体声波谐振器下电极的制备方法按以下步骤进行:一、清洗单晶硅衬底材料;二、进行单晶硅衬底表面离子清洗;三、在单晶硅衬底表面沉积Mo薄膜;四、对Mo薄膜表面进行氮化处理。本发明制备的Mo薄膜电极，表面平整，粗糙度低、结构和几何均匀性好，电学及声学性能优良。本发明可应用于电子材料技术领域。
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