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公开(公告)号：CN103887501A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410155560.4
申请日：2014-04-17
申请人： 哈尔滨工业大学
CPC分类号： H01M4/581 , C01B19/04 , H01M10/0525 , H01M2004/021
摘要： 一种硒化铜锂离子电池电极材料的制备方法，它属于功能材料中的硒化物锂离子电池电极材料领域。它要解决现有制备锂离子电池电极材料原料昂贵、产量少，不利于扩大生产的问题。方法：一、Na2SeO3、Cu(CH3COO)2和NaOH溶于乙二醇与去离子水的混合溶剂中，得混合物A；二、联胺加入混合物A中，得混合溶液B；三、将混合溶液B加到高压反应釜中，热处理，得Cu2-xSe电极材料前躯体；四、经过滤、洗涤和干燥后即得硒化铜锂离子电池电极材料。本发明不需要高温，所用原材料简单便宜易得，反应压力小，得到的Cu2-xSe电极材料为结晶度好，纯度高达99%以上，产率可达94%，有利于扩大生产。
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公开(公告)号：CN101914812B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201010276952.8
申请日：2010-09-09
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种银-铅-铋-碲热电材料的制备方法，它涉及一种热电材料的制备方法。本发明解决了现有制备热电材料所需温度高、原料昂贵、产量少，不利于扩大生产的问题。本方法如下：一、制备混合物A；二、制备混合溶液B；三、制备AgPb10BiTe12热电材料前躯体；四、将AgPb10BiTe12热电材料前躯体过滤并洗涤，然后真空干燥，即得银-铅-铋-碲热电材料。本发明方法所需温度不需要高温，所用原材料简单易得，得到的AgPb10BiTe12热电材料为结晶度好、粒度分布窄的粉体，AgPb10BiTe12热电材料纯度高达99％以上，有利于扩大生产。
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公开(公告)号：CN101654747A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910072683.0
申请日：2009-08-14
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种AgPb 10 SbTe 12 热电材料的制备方法，它涉及一种热电材料的制备方法。它解决了现有方法制备出的热电材料在制备过程中所需温度高，设备昂贵且复杂、得到产品的产量少且热电性能差的问题。制备方法：一、制备混合物；二、制备混合溶液；三、制备AgPb 10 SbTe 12 热电材料前躯体；四、将AgPb 10 SbTe 12 热电材料前躯体过滤、洗涤，干燥。本发明是采用水热法合成的方法实现了在低温、友好条件下制得AgPb 10 SbTe 12 热电材料。本发明得到的产品纯度高、产量高，热电性能良好，本发明原材料价格便宜、工艺简单、设备简单且设备造价低。
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公开(公告)号：CN114212862A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111152021.1
申请日：2021-09-29
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C02F1/463 , C02F1/467 , C02F101/30
摘要： 本申请公开了一种电絮凝氧化一体化废水处理装置及处理方法，涉及废水处理技术领域。装置包括反应器、电源、电氧化阳极板、间接电絮凝阴极板以及搅拌器，反应器用于盛装废水，电氧化阳极板和间接电絮凝阴极板平行设置，且电氧化阳极板和间接电絮凝阴极板的至少一部分均位于反应器内；电源通过导线连通电氧化阳极板和间接电絮凝阴极板；搅拌器用于控制反应器内废水的传质过程。本申请用于去除废水中悬浮污染物和难降解有机污染物。
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公开(公告)号：CN103879974A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410155572.7
申请日：2014-04-17
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种微波辅助法制备硒化铜纳米线的方法，它涉及一种制备硒化铜纳米粉体的方法。它要解决现有硒化铜纳米线的制备过程中加热速度慢、热能利用率低、合成周期长、产量低，不利于扩大生产的问题。方法：一、Cu(CH3COO)2·H2O、Na2SeO3、酒石酸钠溶于甲酰胺中，得混合溶液A；二、KOH加到甲酰胺中，得溶液B；三、溶液B加到混合溶液A中，滴加水合肼，得混合溶液C；四、微波辐射处理，得Cu2-xSe纳米线前驱体；五、经离心、洗涤、干燥后即得硒化铜纳米线。本发明不需要高温，加热速度快、合成周期短，得到的硒化铜粉体结晶度好、粒度分布窄，纯度高达99%以上，产率达90%以上，有利于大规模制备硒化铜纳米线。
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公开(公告)号：CN101906665B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010276943.9
申请日：2010-09-09
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种银-铅-镧-碲热电材料的制备方法，它涉及一种热电材料的制备方法。本发明解决了现有制备热电材料所需温度高、原料昂贵、产量少，不利于扩大生产的问题。本方法如下：一、制备混合物A；二制备混合溶液B；三、制备AgPb10LaTe12热电材料前躯体；四、将AgPb10LaTe12热电材料前躯体过滤并洗涤，然后真空干燥，即得银-铅-镧-碲热电材料。本发明方法所需温度不需要高温，所用原材料简单易得，得到的AgPb10LaTe12热电材料为结晶度好、粒度分布窄的粉体，AgPb10LaTe12热电材料纯度高达99％以上，有利于扩大生产。
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公开(公告)号：CN103879974B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410155572.7
申请日：2014-04-17
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种微波辅助法制备硒化铜纳米线的方法，它涉及一种制备硒化铜纳米粉体的方法。它要解决现有硒化铜纳米线的制备过程中加热速度慢、热能利用率低、合成周期长、产量低，不利于扩大生产的问题。方法：一、Cu(CH3COO)2·H2O、Na2SeO3、酒石酸钠溶于甲酰胺中，得混合溶液A；二、KOH加到甲酰胺中，得溶液B；三、溶液B加到混合溶液A中，滴加水合肼，得混合溶液C；四、微波辐射处理，得Cu2-xSe纳米线前驱体；五、经离心、洗涤、干燥后即得硒化铜纳米线。本发明不需要高温，加热速度快、合成周期短，得到的硒化铜粉体结晶度好、粒度分布窄，纯度高达99%以上，产率达90%以上，有利于大规模制备硒化铜纳米线。
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公开(公告)号：CN101935024B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010276638.X
申请日：2010-09-09
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种Cu7Te4纳米带半导体材料的制备方法，它涉及一种纳米带半导体材料的制备方法。本发明解决了现有的纳米态半导体材料制备方法中操作复杂、成本高、危险性大，得到产品的纯度低的问题。本方法：一、制备混合溶液；二、制备Cu7Te4半导体材料前驱体；三、将Cu7Te4半导体材料洗涤、过滤，干燥，即得到Cu7Te4纳米带半导体材料。本发明的Cu7Te4纳米带半导体材料结晶度高、颗粒均匀、纯度高，带的宽度在500nm～5μm，长度在10～30μm，制备方法操作简单、成本低、危险性低。应用于热电器件、太阳能电池、超离子导体等领域。
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公开(公告)号：CN101935024A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010276638.X
申请日：2010-09-09
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种Cu7Te4纳米带半导体材料的制备方法，它涉及一种纳米带半导体材料的制备方法。本发明解决了现有的纳米态半导体材料制备方法中操作复杂、成本高、危险性大，得到产品的纯度低的问题。本方法：一、制备混合溶液；二、制备Cu7Te4半导体材料前驱体；三、将Cu7Te4半导体材料洗涤、过滤，干燥，即得到Cu7Te4纳米带半导体材料。本发明的Cu7Te4纳米带半导体材料结晶度高、颗粒均匀、纯度高，带的宽度在500nm～5μm，长度在10～30μm，制备方法操作简单、成本低、危险性低。应用于热电器件、太阳能电池、超离子导体等领域。
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公开(公告)号：CN101654747B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910072683.0
申请日：2009-08-14
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种AgPb10SbTe12热电材料的制备方法，它涉及一种热电材料的制备方法。它解决了现有方法制备出的热电材料在制备过程中所需温度高，设备昂贵且复杂、得到产品的产量少且热电性能差的问题。制备方法：一、制备混合物；二、制备混合溶液；三、制备AgPb10SbTe12热电材料前躯体；四、将AgPb10SbTe12热电材料前躯体过滤、洗涤，干燥。本发明是采用水热法合成的方法实现了在低温、友好条件下制得AgPb10SbTe12热电材料。本发明得到的产品纯度高，产量高，热电性能良好，本发明原材料价格便宜、工艺简单、设备简单且设备造价低。
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