一种高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109585639B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201811473803.3

    申请日:2018-12-04

    IPC分类号: H01L35/16 H01L35/34 C01B19/04

    摘要: 一种高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备方法,它涉及SnTe热电材料的制备方法。本发明要解决现有热电材料输出功率密度和能量转换效率不能同时提高的问题。制备方法:一、按照化学通式为(SnTe)2.94(In2Te3)0.02‑(Cu2Te)3x的化学计量比称取Sn粉、Te粉、In粉和Cu粉;二、将混合物置于高温马弗炉中,在高温度下保温,然后降温并保温,最后随炉冷,得到铸锭;三、将铸锭研磨并置于石墨模具中,在一定温度及压力下烧结,得到In‑Cu共掺杂SnTe热电材料。本发明适用于高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备。

    一种等离子体改性的二维层状硫化钒催化剂材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109701558B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201910048868.1

    申请日:2019-01-18

    摘要: 一种等离子体改性的二维层状硫化钒催化剂材料的制备方法,它涉及一种析氢电解池电极材料的制备方法。本发明要解决现有过渡金属硫化物材料的导电性较差,催化活性位点数量低的问题。方法:一、将钒源和硫源加入到去离子水中,得到混合溶液A;二、将混合溶液A高温反应,得到混合溶液B;三、将混合溶液B自然冷却至室温,然后超声处理并离心分离,将黑色沉淀物清洗干燥,得到硫化钒粉末;四、将硫化钒粉末放置于等离子增强化学气相沉积装置中,刻蚀处理;五、关闭射频电源和加热电源,停止通入气体,真空冷却至室温。本发明用于等离子体改性的二维层状硫化钒催化剂材料的制备。

    一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法

    公开(公告)号:CN112614929A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202110008429.5

    申请日:2021-01-05

    IPC分类号: H01L35/16 H01L35/34

    摘要: 一种构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法,本发明涉及一种提高SnTe热电性能的方法。本发明要解决现有引入晶体缺陷的方法无法通过降低声速来提高SnTe中温热电材料的热电性能的问题。方法:一、称取;二、制备铸锭;三、球磨、烧结和退火。本发明用于构建晶界孔洞提高SnTe热电性能的方法。

    一种硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109402662A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811533250.6

    申请日:2018-12-14

    IPC分类号: C25B11/04 C25B1/04 H01M4/62

    摘要: 一种硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备方法,它涉及一种金属碳化物/硫化物复合材料的制备。本发明要解决现有硒化钼的导电性较差,离子迁移率较低的问题。方法:一、将Se粉与水合肼混合搅拌,得到硒-水合肼的分散液;MXene-Ti3C2分散液与十六烷基三甲基溴化铵混合,加入钼酸钠,得到十六烷基三甲基溴化铵溶液;三、将硒-水合肼的分散液和十六烷基三甲基溴化铵溶液混合反应,得到混合溶液;四、将混合溶液用去离子水和乙醇清洗并离心,真空烘干,得到MoSe2@MXene-Ti3C2复合材料。本发明用于硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备。

    一种钴纳米粒子/碳纳米管复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102327782A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201110188072.X

    申请日:2011-07-06

    IPC分类号: B01J32/00 B01J23/75 C09K3/00

    摘要: 一种钴纳米粒子/碳纳米管复合材料的制备方法,它涉及碳纳米管复合材料的制备方法。本发明解决了现有的碳纳米管表面负载钴纳米颗粒的制备方法工艺复杂,碳纳米管表面结构被破坏、钴的负载数量少的技术问题。本方法:一、称取碳纳米管、乙酰丙酮钴和三甘醇并加入到容器中混合均匀并超声分散处理;二、在氩气保护下,以2~4℃/min的速度升温至沸腾,回流30~60min,再将得到的含有钴纳米粒子/碳纳米管颗粒的混合液进行磁性分离,再干燥,得到钴纳米粒子/碳纳米管复合材料。本发明在简化反应步骤的同时,保持了碳纳米管的原有表面结构和性能。钴的负载量达到85%以上。钴纳米粒子/碳纳米管复合材料可用作催化剂载体和吸波材料。

    Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用

    公开(公告)号:CN101252009B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200810064311.9

    申请日:2008-04-16

    IPC分类号: G11B11/105

    摘要: Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用,它涉及Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金的新用途,特别是Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制,记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程,同时受存储介质热传导效应影响,导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式,它结合磁存储和光存储的优点,具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。