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公开(公告)号：CN119870444A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510063309.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提升MgAgSb热电材料高温热稳定性的方法，本发明属于热电材料领域。本发明要解决现有纳米结构MgAgSb热电材料在较高温度下容易发生结构演变与性能衰减的问题。方法：一、粉体制备；二、烧结。本发明用于提升MgAgSb热电材料高温热稳定性。
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公开(公告)号：CN115347109A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210992642.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法，本发明涉及MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法。本发明要解决现有制备的MgAgSb晶格热导率较大，晶粒尺寸仍比较大(大约200nm)，且传统构建孔洞方法不适用于MgAgSb基热电材料的问题。方法：一、制备MgAgSb纳米粉末；二、制备Ag‑MgAgSb‑Ag长条试件；三、制备Fe‑MgBiSb‑Fe长条试件；四、制备MgAgSb/MgBiSb热电制冷器件。本发明用于利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件。
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公开(公告)号：CN118754665A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411015708.4
申请日：2024-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622
Abstract: 一种调控构型熵诱导的强织构N型碲化铋材料及其制备方法，它属于热电材料技术领域。本发明要解决现有区熔碲化铋基热电材料工艺复杂及织构不均匀的问题。化学通式为(Bi2Te3)1‑x(Sb2Se2S)x+y at.％BiBr3，其中x＝0.05～0.20，y＝0.18～0.24；方法：一、称取并混合；二、将混合粉末导入石英安瓿瓶中并真空密封；三、升温、保温及降温。本发明用于调控构型熵诱导的强织构N型碲化铋材料及其制备。
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公开(公告)号：CN118475211A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410254285.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 一种兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法，本发明属于热电器件技术领域。本发明要解决现有Mg3(Sb,Bi)2基Zintl相热电材料化学稳定性较差的问题。方法：一、制备Mg3.2Sb0.5Bi1.49Te0.01Alx粉末；二、制备Fe箔/n型Mg3(Sb,Bi)2/Fe箔长条试件；三、制备Mg3(Sb,Bi)2/碲化铋制冷器件。本发明用于兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备。
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公开(公告)号：CN117529207B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311261158.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C30B29/46 , C30B1/10 , H10N10/852
Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117529207A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311261158.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C30B29/46 , C30B1/10 , H10N10/852
Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。
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公开(公告)号：CN115347109B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210992642.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/853 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法，本发明涉及MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法。本发明要解决现有制备的MgAgSb晶格热导率较大，晶粒尺寸仍比较大(大约200nm)，且传统构建孔洞方法不适用于MgAgSb基热电材料的问题。方法：一、制备MgAgSb纳米粉末；二、制备Ag‑MgAgSb‑Ag长条试件；三、制备Fe‑MgBiSb‑Fe长条试件；四、制备MgAgSb/MgBiSb热电制冷器件。本发明用于利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件。
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公开(公告)号：CN118119256A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410272622.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C22C1/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , H10N10/851 , H10N10/853 , H10N10/85
Abstract: 一种方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有方钴矿基热电材料阻挡层与焊料的润湿性较差，需额外引入连接层Ni，从而引入额外的界面电阻问题。方法：一、制备方钴矿基n型块体材料及方钴矿基p型块体材料；二、制备Ni‑Cr混合粉；三、制备表面设有阻挡层的方钴矿基热电材料。本发明用于方钴矿基热电材料高结合强度低接触电阻良好润湿性的阻挡层制备。
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公开(公告)号：CN116963572A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310591707.3
申请日：2023-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , H10N10/852
Abstract: 一种碲化铋基热电材料低接触电阻高结合强度高热稳定性的阻挡层制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有碲化铋基热电材料阻挡层无法同时实现200℃以上长期热稳定且高强低阻的问题。方法：一、制备Ti/碲化铋p型/Ti试件；二、制备Ti/碲化铋n型/Ti试件；三、制备碲化铋发电器件。本发明用于碲化铋基热电材料低接触电阻高结合强度高热稳定性的阻挡层制备。
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公开(公告)号：CN115915896B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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