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公开(公告)号:CN116798882B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202311054991.7
申请日:2023-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01L21/52 , H01L21/54 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种双面散热结构功率模块的制造方法,采用钎焊焊接芯片和陶瓷基板,而后利用键合机进行芯片和覆铜陶瓷基板的电气互联键合,安装塑料外壳并二次键合完成覆铜陶瓷基板与端子的固连;高导热复合材料以导热填料、树脂基体和添加剂为原料按比例混合,形成无自主流动性的粉状物质,将其填入功率模块腔体中,并装上有凸起结构的上冷板,放入真空腔并盖上顶盖,抽真空的同时向下额外施压使填料相互挤压变形填隙,最终填满整个腔体,打开气阀恢复正常压力后撤去外部装置并加热固化即可完成。本发明提供的方法可以制备具有双面散热功能的功率模块,具有工艺简单、成本较低、良品率高、可靠性高的特点。
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公开(公告)号:CN117810181A
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202311856501.5
申请日:2023-12-29
Applicant: 威海新佳电子有限公司 , 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种具有高效散热功能的IGBT模块封装结构,包括框架本体,所述框架本体内部为中空结构,还包括用于对IGBT模块进行双面散热的散热模块、用于作为IGBT模块主体部分的功能模块以及用于对IGBT模块进行封装的封装模块,散热模块布置在所述框架本体的上下两端,功能模块装配在所述框架本体的内侧下部,封装模块配置在所述框架本体的内侧,本发明的有益效果是结构简单,设有散热模块,可以对IGBT模块进行双面散热,散热效率高,设有功能模块与封装模块配合,通过高性能导热灌封料良好地包覆多孔结构的高导热薄膜,降低了其接触面产生气泡的概率,提高了上层散热通道的可靠性,降低了杂散电感的产生,可降低芯片发热源位置的功率密度。
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公开(公告)号:CN116798882A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202311054991.7
申请日:2023-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01L21/52 , H01L21/54 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种双面散热结构功率模块的制造方法,采用钎焊焊接芯片和陶瓷基板,而后利用键合机进行芯片和覆铜陶瓷基板的电气互联键合,安装塑料外壳并二次键合完成覆铜陶瓷基板与端子的固连;高导热复合材料以导热填料、树脂基体和添加剂为原料按比例混合,形成无自主流动性的粉状物质,将其填入功率模块腔体中,并装上有凸起结构的上冷板,放入真空腔并盖上顶盖,抽真空的同时向下额外施压使填料相互挤压变形填隙,最终填满整个腔体,打开气阀恢复正常压力后撤去外部装置并加热固化即可完成。本发明提供的方法可以制备具有双面散热功能的功率模块,具有工艺简单、成本较低、良品率高、可靠性高的特点。
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公开(公告)号:CN221747215U
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202323646477.0
申请日:2023-12-29
Applicant: 威海新佳电子有限公司 , 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型公开了一种具有高效散热功能的IGBT模块封装结构,包括框架本体,所述框架本体内部为中空结构,还包括用于对IGBT模块进行双面散热的散热模块、用于作为IGBT模块主体部分的功能模块以及用于对IGBT模块进行封装的封装模块,散热模块布置在所述框架本体的上下两端,功能模块装配在所述框架本体的内侧下部,封装模块配置在所述框架本体的内侧,本实用新型的有益效果是结构简单,设有散热模块,可以对IGBT模块进行双面散热,散热效率高,设有功能模块与封装模块配合,通过高性能导热灌封料良好地包覆多孔结构的高导热薄膜,降低了其接触面产生气泡的概率,提高了上层散热通道的可靠性,降低了杂散电感的产生,可降低芯片发热源位置的功率密度。
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