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公开(公告)号：CN110240127A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910645657.6
申请日：2019-07-17
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明提供了一种二维GaTe材料的制备方法，包括依次执行如下步骤：步骤1：称取一定量的碲粉和镓液，将其分别放置于两个坩埚中，放置碲粉为碲源的坩埚为第一坩埚、放置镓液为镓源的坩埚为第二坩埚；步骤2：分别将步骤1中的所述第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间需间隔一定距离；步骤3：将衬底倒置在第二坩埚的正上方；步骤4：通入氩气和氢气的混合气体，并进行升温，当升温到设定温度时保温一定时间，然后自然冷却到室温，即能在所述衬底上沉积二维GaTe材料。本发明的有益效果是：1.本发明的制备方法采用化学气相沉积法，相较于常规的机械剥离法制备过程，更容易控制。
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公开(公告)号：CN116216654B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310290237.7
申请日：2023-03-23
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC分类号： C01B19/00 , H01L31/032 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及二维材料的制备技术领域(IPC分类号为H01L31/032)，尤其涉及一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用，所述方法包括如下步骤：S1.将柠檬酸铋铵、亚硒酸盐、亚碲酸盐溶解在无机碱水溶液中，加热保温，得到混合物1；S2.弃去混合物1的上层清液，摇晃混合物1的下层液体，待纳米片悬浮后转移至离心管，离心，收集沉淀，干燥，得到碲掺杂硒氧化铋二维材料。本发明采用低能耗、操作简单的水热法，相比于合成二维材料常用的化学气相沉积法，水热法所需设备成本更低，且能将Te元素均匀的掺杂进二维硒氧化铋纳米片中。
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公开(公告)号：CN109616331B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201811344861.6
申请日：2018-11-13
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明公开了一种纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料及其制备方法。所述的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，是以MnCo2O4.5纳米花为核，在其表面上均匀地生长氢氧化镍纳米片，从而制备出具有很高的比容量、充放电稳定性，无需粘结剂和导电剂的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，可用于超级电容器领域，制备工艺简单，操作方便，可重复性高。
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公开(公告)号：CN109616331A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811344861.6
申请日：2018-11-13
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
摘要： 本发明公开了一种纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料及其制备方法。所述的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，是以MnCo2O4.5纳米花为核，在其表面上均匀地生长氢氧化镍纳米片，从而制备出具有很高的比容量、充放电稳定性，无需粘结剂和导电剂的纳米花核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料，可用于超级电容器领域，制备工艺简单，操作方便，可重复性高。
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公开(公告)号：CN116216654A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310290237.7
申请日：2023-03-23
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC分类号： C01B19/00 , H01L31/032 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及二维材料的制备技术领域(IPC分类号为H01L31/032)，尤其涉及一种碲掺杂硒氧化铋二维材料的制备方法及其应用，所述方法包括如下步骤：S1.将柠檬酸铋铵、亚硒酸盐、亚碲酸盐溶解在无机碱水溶液中，加热保温，得到混合物1；S2.弃去混合物1的上层清液，摇晃混合物1的下层液体，待纳米片悬浮后转移至离心管，离心，收集沉淀，干燥，得到碲掺杂硒氧化铋二维材料。本发明采用低能耗、操作简单的水热法，相比于合成二维材料常用的化学气相沉积法，水热法所需设备成本更低，且能将Te元素均匀的掺杂进二维硒氧化铋纳米片中。
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公开(公告)号：CN110240127B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910645657.6
申请日：2019-07-17
申请人： 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明提供了一种二维GaTe材料的制备方法，包括依次执行如下步骤：步骤1：称取一定量的碲粉和镓液，将其分别放置于两个坩埚中，放置碲粉为碲源的坩埚为第一坩埚、放置镓液为镓源的坩埚为第二坩埚；步骤2：分别将步骤1中的所述第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间需间隔一定距离；步骤3：将衬底倒置在第二坩埚的正上方；步骤4：通入氩气和氢气的混合气体，并进行升温，当升温到设定温度时保温一定时间，然后自然冷却到室温，即能在所述衬底上沉积二维GaTe材料。本发明的有益效果是：1.本发明的制备方法采用化学气相沉积法，相较于常规的机械剥离法制备过程，更容易控制。
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