一种含倍半硅氧烷POSS结构的双邻苯二甲腈聚合物的制备方法

    公开(公告)号:CN108484917A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810400525.2

    申请日:2018-04-28

    IPC分类号: C08G77/452

    摘要: 一种含倍半硅氧烷POSS结构的双邻苯二甲腈聚合物的制备方法,本发明涉及一种含倍半硅氧烷POSS结构的双邻苯二甲腈聚合物的制备方法,本发明的目的是为了解决制备双邻苯二甲腈聚合物时固化温度高、固化时间长的问题,在体系中引入POSS不仅可以提高反应活性还可以进一步改善耐热性。本发明一是通过亲核取代反应,将POSS结构引入到双邻苯二甲腈单体中,二是通过POSS基团的反应官能团接枝在双邻苯二甲腈预聚物上,本发明制备的含有POSS结构的双邻苯二甲腈聚合物具有更好的耐热性能,在空气中900℃下的质量保留率46%,固化温度为200-300℃,固化时间为8-16h。本发明应用于双邻苯二甲腈聚合物的制备领域。

    一种制备大面径比纳米片的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115180600A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210928895.X

    申请日:2022-08-03

    摘要: 本申请涉及碳纳米材料领域,公开了一种制备大面径比g‑C3N4纳米片的方法。本发明所述方法将富含碳氮小分子化合物与氯化钠充分研磨,然后研磨后的混合物在高温下处理,获得面内高度有序结构的大面径比g‑C3N4纳米片。本申请采用氯化钠法制备具有大面径比结构的g‑C3N4纳米片,此制备方法简便、成本低以及产率高,适用于工业化大批量生产,具有很高的使用价值。在合成氮化碳的同时保持大面积的二维片材结构,纳米片厚度只有2‑10nm,横向尺寸保持在5‑30μm之间,在催化、防腐和电容等领域拥有很高的应用前景。