公开(公告)号：CN112954240B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110225179.0

申请日：2021-03-01

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘云涛 ,  李孟窈 ,  蒋忠林 ,  边政

IPC: H04N25/76 ,  H04N25/772

Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素级ADC电路，包括比较器，锁存器，斜坡发生器，编码信号电路，偏置电路和时钟电路，比较器对像素单元转化后的模拟信号和斜坡发生信号进行比较，锁存器锁存比较器比较后对应的BITX编码信号，斜坡发生器为比较器提供相应斜坡信号，编码信号电路为整体电路提供数字编码，偏置电路为整体电路提供偏置电压，时钟电路为整体电路提供时钟序列。本发明可以很容易地实现量化可变步长、消除图像滞后，而且电路结构相对简单，噪声低，功耗小，还具有良好的抗辐照特性，可以很好的应用于航空航天领域。

公开(公告)号：CN111063729A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911280891.X

申请日：2019-12-13

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘云涛 ,  李孟窈

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉一种新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置,所述装置包括：衬底层，绝缘氧化埋层，牺牲层，硅膜层，浅沟槽隔离氧化层，栅氧层，氮化硅Si3N4侧墙，源区，漏区，S栅区，所述衬底层上涂有绝缘氧化埋层，所述绝缘氧化埋层上涂有牺牲层，在牺牲层上由左至右依次设有浅沟槽隔离氧化层、硅膜层、源区、浅沟槽隔离氧化层，所述硅膜层上涂有栅氧层，在所述栅氧层上由左至右依次设有氮化硅侧墙、S栅区、氮化硅侧墙。该新型器件可抗总电离辐照剂量高达500krad(Si)，总电离剂量辐照对其泄露电流，阈值电压，跨导等敏感参数基本无影响。本发明和传统SOI工艺兼容，且相比现已有抗辐照栅型器件宽长比设计不受限，版图面积更小。

公开(公告)号：CN112954240A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110225179.0

申请日：2021-03-01

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘云涛 ,  李孟窈 ,  蒋忠林 ,  边政

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素级ADC电路，包括比较器，锁存器，斜坡发生器，编码信号电路，偏置电路和时钟电路，比较器对像素单元转化后的模拟信号和斜坡发生信号进行比较，锁存器锁存比较器比较后对应的BITX编码信号，斜坡发生器为比较器提供相应斜坡信号，编码信号电路为整体电路提供数字编码，偏置电路为整体电路提供偏置电压，时钟电路为整体电路提供时钟序列。本发明可以很容易地实现量化可变步长、消除图像滞后，而且电路结构相对简单，噪声低，功耗小，还具有良好的抗辐照特性，可以很好的应用于航空航天领域。