公开(公告)号：CN106025549A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610352486.4

申请日：2016-05-25

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 周凯 ,  管有林 ,  国强 ,  项建弘

IPC: H01Q1/52

CPC classification number: H01Q1/523

Abstract: 本发明提供一种渐变型电磁带隙结构，属于微波工程技术领域。包括四个部分：下层圆形金属薄膜、上层金属薄膜、填充在上下两层薄膜之间的损耗介质层以及连接上下两层金属薄膜的金属过孔。所述的上层金属薄膜由许多扇形贴片单元组成，扇形贴片从圆心到半径方向逐渐变大，贴片之间有缝隙，每个贴片单元的中心都有一个金属过孔。下表面为完整的圆片状金属膜，无缝隙。本发明提供的电磁带隙结构在较宽的频带范围内有禁带效果。本发明所述的渐变型电磁带隙结构适用于螺旋天线等超宽带天线领域。

公开(公告)号：CN104638382B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510054449.0

申请日：2015-02-02

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 周凯 ,  田春胜 ,  由丽 ,  管有林

IPC: H01Q17/00

Abstract: 本发明提供的是一种双频超材料吸波体，由自下而上依次设置的底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜之间相互贴合，所述底层金属薄膜是全金属薄膜，顶层金属薄膜包括金属圆环和位于金属圆环内的金属方环组成，金属圆环的中心和金属方环的中心与中间损耗介质层的中心以及底层金属薄膜的中心在一条直线上，且金属方环的四个角分别正对于中间损耗介质层的四个边的中点。本发明提供的超材料吸波体具有高吸波率，极化不敏感和宽入射角特性，并且有两个吸波峰值点。

公开(公告)号：CN104638382A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510054449.0

申请日：2015-02-02

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 周凯 ,  田春胜 ,  由丽 ,  管有林

IPC: H01Q17/00

Abstract: 本发明提供的是一种双频超材料吸波体，由自下而上依次设置的底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜之间相互贴合，所述底层金属薄膜是全金属薄膜，顶层金属薄膜包括金属圆环和位于金属圆环内的金属方环组成，金属圆环的中心和金属方环的中心与中间损耗介质层的中心以及底层金属薄膜的中心在一条直线上，且金属方环的四个角分别正对于中间损耗介质层的四个边的中点。本发明提供的超材料吸波体具有高吸波率，极化不敏感和宽入射角特性，并且有两个吸波峰值点。

公开(公告)号：CN106025549B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201610352486.4

申请日：2016-05-25

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 周凯 ,  管有林 ,  国强 ,  项建弘

IPC: H01Q1/52

Abstract: 本发明提供一种渐变型电磁带隙结构，属于微波工程技术领域。包括四个部分：下层圆形金属薄膜、上层金属薄膜、填充在上下两层薄膜之间的损耗介质层以及连接上下两层金属薄膜的金属过孔。所述的上层金属薄膜由许多扇形贴片单元组成，扇形贴片从圆心到半径方向逐渐变大，贴片之间有缝隙，每个贴片单元的中心都有一个金属过孔。下表面为完整的圆片状金属膜，无缝隙。本发明提供的电磁带隙结构在较宽的频带范围内有禁带效果。本发明所述的渐变型电磁带隙结构适用于螺旋天线等超宽带天线领域。

公开(公告)号：CN105071049A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510551819.1

申请日：2015-09-01

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 周凯 ,  田春胜 ,  管有林

IPC: H01Q17/00

Abstract: 本发明属于微波工程技术吸波材料领域，具体涉及一种在隐身、电磁屏蔽和探测中可实现对指定频段电磁波的吸收的一种双向超材料吸波体。一种双向超材料吸波体，所述吸波体为单元周期性结构，单元结构包括：中间层的金属薄膜，两侧的损耗介质层和刻蚀在两个损耗介质层上的金属方环。本发明提出的双向超材料吸波体相对于中间的金属薄膜上下对称，在结构的上下两面各构成了一个谐振器，从而可以实现对两个方向电磁波的吸收的效果。同时，本发明提出的双向超材料吸波体具有宽入射角的特性，当电磁波的入射角度增加到50度时，本发明在工作频点的吸波率仍能保持在92％以上，并且随着入射角度的增加，吸收峰所对应的频率基本没有发生偏移。

公开(公告)号：CN204407519U

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201520074184.6

申请日：2015-02-02

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 周凯 ,  田春胜 ,  由丽 ,  管有林

IPC: H01Q17/00

Abstract: 本实用新型提供的是一种双频超材料吸波体，由自下而上依次设置的底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜组成，底层金属薄膜、中间损耗介质层和顶层金属薄膜之间相互贴合，所述底层金属薄膜是全金属薄膜，顶层金属薄膜包括金属圆环和位于金属圆环内的金属方环组成，金属圆环的中心和金属方环的中心与中间损耗介质层的中心以及底层金属薄膜的中心在一条直线上，且金属方环的四个角分别正对于中间损耗介质层的四个边的中点。本实用新型提供的超材料吸波体具有高吸波率，极化不敏感和宽入射角特性，并且有两个吸波峰值点。