公开(公告)号：CN101533854B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910071882.X

申请日：2009-04-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  曹菲 ,  赵旦峰 ,  葛梅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供的是一种具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管.包括源区(40)、体区(30)、漂移区(20)、漏区(50)、源电极(400)、漏电极(500)、栅电极(60)，埋置介质层(70)具有使SOI层与衬底半导体10相连接的渐变宽度的窗口(800、810和820)。本发明所述的具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管，可通过优化设计埋置介质层渐变宽度的窗口宽度，使得SOI层(有源区)与衬底半导体相连接，碰撞电离产生的空穴可由衬底流出。同时，可使器件区产生的焦耳热有效地流向衬底的热沉。不仅能减小自加热效应，还可抑制浮体效应。

公开(公告)号：CN101533854A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910071882.X

申请日：2009-04-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  曹菲 ,  赵旦峰 ,  葛梅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供的是一种具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管。包括源区(40)、体区(30)、漂移区(20)、漏区(50)、源电极(400)、漏电极(500)、栅电极(60)，埋置介质层(70)具有使SOI层与衬底半导体10相连接的渐变宽度的窗口(800、810和820)。本发明所述的具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管，可通过优化设计埋置介质层渐变宽度的窗口宽度，使得SOI层(有源区)与衬底半导体相连接，碰撞电离产生的空穴可由衬底流出。同时，可使器件区产生的焦耳热有效地流向衬底的热沉。不仅能减小自加热效应，还可抑制浮体效应。