公开(公告)号：CN114279551B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202111562112.2

申请日：2021-12-20

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘彬 ,  董喜来 ,  钟志 ,  单明广 ,  于蕾 ,  刘磊

IPC: G01H9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法，属于光纤传感器技术领域。本发明解决了现有光纤声压传感器由于初始腔长相位差不准确，进而导致传感器解调效果不好的问题。本发明传感器包括两个光纤组件和夹层结构，夹层结构为SOI‑空气‑硅的夹层结构，具体的支撑结构层为框架结构与第二Si基层形成第一方形槽，SiO2层和第一Si层上刻蚀有方形通孔，该方形通孔与SOI衬底层构成第二方形槽，两个方形槽连通在夹层结构内形成密封腔。两个方形槽的存在使传感器具有两个长度不等的F‑P腔，继而使两路干涉信号相位差保持恒定，从而获得两路正交信号，后续结合双F‑P腔正交测量法，实现对声压信号的精准测量。

公开(公告)号：CN114279551A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111562112.2

申请日：2021-12-20

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘彬 ,  董喜来 ,  钟志 ,  单明广 ,  于蕾 ,  刘磊

IPC: G01H9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤声压传感器及其制备方法，属于光纤传感器技术领域。本发明解决了现有光纤声压传感器由于初始腔长相位差不准确，进而导致传感器解调效果不好的问题。本发明传感器包括两个光纤组件和夹层结构，夹层结构为SOI‑空气‑硅的夹层结构，具体的支撑结构层为框架结构与第二Si基层形成第一方形槽，SiO2层和第一Si层上刻蚀有方形通孔，该方形通孔与SOI衬底层构成第二方形槽，两个方形槽连通在夹层结构内形成密封腔。两个方形槽的存在使传感器具有两个长度不等的F‑P腔，继而使两路干涉信号相位差保持恒定，从而获得两路正交信号，后续结合双F‑P腔正交测量法，实现对声压信号的精准测量。