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公开(公告)号：CN119081183A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411209219.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种环烯烃共聚物复合绝缘介质薄膜的制备方法，它属于电容器领域。本发明解决现有在高温或高电场条件下，聚合物电介质薄膜电容器绝缘性能劣化、储能效率降低的问题。方法：一、环烯烃共聚物溶液的制备；二、酸酐接枝环烯烃共聚物溶液的制备；三、将高极性二胺单体加入到酸酐接枝环烯烃共聚物溶液中反应，然后涂覆并梯度升温热亚胺化处理。本发明用于环烯烃共聚物复合绝缘介质薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN117683351B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202311549291.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜及其制备方法和在电气绝缘中的应用，属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明通过向聚酰亚胺分子链上引入大体积基团芴和金属氧化铝团簇(‑AOC)，制备了具有高击穿场强的聚酰亚胺薄膜材料，该聚酰亚胺介质材料在室温下的直流击穿场强为672.2MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了54.6％，在150℃下的直流击穿场强为651.9MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了56.9％。
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公开(公告)号：CN117866127A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
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公开(公告)号：CN117510921A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311519717.2
申请日：2023-11-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温高绝缘复合电介质薄膜及其制备方法和应用，属于耐高温高绝缘聚酰亚胺材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料在高温环境下绝缘性能严重劣化的技术问题。本发明从分子结构调控角度入手，通过原位聚合法制备了聚酰亚胺电介质(F‑PI)，同时采用共价键合方式将硅烷结构与F‑PI的链端结合，在主链上引入硅氧柔性结构，降低聚酰亚胺的刚性且抑制其发生链段的紧密堆积，从而减少分子内作用力，显著抑制了电介质内部的载流子输运，改善材料在高温下的储能特性。使得引入硅烷的氟化聚酰亚胺复合电介质材料，在高温和高场条件下，具有更高的击穿场强和储能密度。
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公开(公告)号：CN112679637A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011571990.6
申请日：2020-12-27
Applicant: 苏州固泰新材股份有限公司 , 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于压电材料技术领域，具体涉及一种聚偏氟乙烯压电复合薄膜的制备方法。其包括如下步骤：制备碳纳米管悬浮液、PVDF悬浮聚合、拉伸成膜和冷却卷收。本发明提供的技术方案在悬浮聚合制备PVDF过程中加入碳纳米管悬浮液，有效防止了纳米微粒的团聚问题，保证了其在PVDF中重复发挥结晶核的作用，从而制备出了β晶含量很高的PVDF压片，然后通过控制后续成膜过程，防止了在成膜过程中β晶向α晶的转化，最终获得了高β晶含量的PVDF压电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120040764A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510297151.6
申请日：2025-03-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚降冰片烯酰亚胺绝缘材料及其制备方法和应用，属于电气绝缘材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚降冰片烯酰亚胺电介质薄膜绝缘性能差的问题。本发明通过对拥有宽带隙和高玻璃化转变温度的有机刚性主链的聚合物电介质薄膜聚降冰片烯酰亚胺(PNI)进行氟化改性的到了FPNI，并通过在FPNI中掺杂具有宽带隙的有机分子4,4‑二羟基二环己烷(OH)，不仅实现了羟基和氟原子之间的氢键交联，而且宽带隙的OH还能带来更高的电子跃迁能级，得到了具有优异绝缘性能的交联聚合物薄膜，击穿场强为619.53MV/m。
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公开(公告)号：CN118515953B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410782527.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种导热绝缘材料及其制备方法和应用，属于导热封装绝缘复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有金刚石颗粒加入环氧树脂中产生的单侧沉淀、分散不均匀而造成导热封装绝缘材料的导热与绝缘性能劣化等问题。本发明首先使用盐酸多巴胺包裹的金刚石粉体，然后通过十三氟辛基三甲氧基硅烷与金刚石表面的多巴胺链发生聚合反应制得全氟基硅烷包裹的氟化金刚石粉体，然后将其作为填充相添加在环氧树脂基体中，从而提升环氧树脂复合材料的导热系数，有望作为一种新的功率半导体电子器件导热封装绝缘材料。此外，本发明提供的环氧树脂复合材料的制备工艺成本较低，实施较易，环保性好，所需仪器的操作简便安全。
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公开(公告)号：CN118515953A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410782527.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种导热绝缘材料及其制备方法和应用，属于导热封装绝缘复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有金刚石颗粒加入环氧树脂中产生的单侧沉淀、分散不均匀而造成导热封装绝缘材料的导热与绝缘性能劣化等问题。本发明首先使用盐酸多巴胺包裹的金刚石粉体，然后通过十三氟辛基三甲氧基硅烷与金刚石表面的多巴胺链发生聚合反应制得全氟基硅烷包裹的氟化金刚石粉体，然后将其作为填充相添加在环氧树脂基体中，从而提升环氧树脂复合材料的导热系数，有望作为一种新的功率半导体电子器件导热封装绝缘材料。此外，本发明提供的环氧树脂复合材料的制备工艺成本较低，实施较易，环保性好，所需仪器的操作简便安全。
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公开(公告)号：CN117801274A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311778999.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚酰亚胺绝缘介质薄膜及其制备方法和应用，属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明首先采用含氟二酐和含氟二胺反应生成氟化聚酰胺酸，然后通过添加笼型八氨基苯基硅倍半氧烷作为交联剂，利用交联剂中的氨基与氟化聚酰胺酸中的羧基反应实现相互交联，随后经微波辅助亚胺化后得到微交联氟化聚酰亚胺介质薄膜。得到薄膜，在高温和高场条件下，具有更高的储能密度同时保持较高的充放电效率。具体的在150℃下，复合电介质在580MV/m下的储能密度为4.18J/cm3，且储能效率仍保持在90％以上。
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公开(公告)号：CN117801274B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202311778999.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚酰亚胺绝缘介质薄膜及其制备方法和应用，属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明首先采用含氟二酐和含氟二胺反应生成氟化聚酰胺酸，然后通过添加笼型八氨基苯基硅倍半氧烷作为交联剂，利用交联剂中的氨基与氟化聚酰胺酸中的羧基反应实现相互交联，随后经微波辅助亚胺化后得到微交联氟化聚酰亚胺介质薄膜。得到薄膜，在高温和高场条件下，具有更高的储能密度同时保持较高的充放电效率。具体的在150℃下，复合电介质在580MV/m下的储能密度为4.18J/cm3，且储能效率仍保持在90％以上。
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