-
公开(公告)号：CN117866127B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
-
公开(公告)号：CN118667197A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410799987.1
申请日：2024-06-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高耐压的复合电介质绝缘薄膜及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明解决了现有电介质绝缘薄膜的击穿性能差和介电损耗大的问题。本发明首先合成了以Ce(Ⅲ)为核、Al为环的金属有机团簇Ce@Al，并在聚醚酰亚胺(PEI)基体中掺杂适量。本发明利用金属有机团簇Ce@Al与聚醚酰亚胺介质能实现高度混合，团簇外围的苯基使其拥有良好稳定性，且Ce@Al阳离子团簇之间的静电排斥力保证了Ce@Al在介质中的均匀分布。此外，本发明合成的Ce@Al结构中的三价离子提供了高偶极矩，并且拥有强大的电荷散射和捕获能力，可以有效的抑制介质内部电荷的运动，实现复合介质绝缘性能的大幅提升。
-
公开(公告)号：CN109836777B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910117688.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种环氧树脂基复合绝缘材料及其制备方法，属于电力绝缘材料技术领域。为解决复合绝缘材料击穿场强低的问题，本发明提供了一种环氧树脂基复合绝缘材料，包括如下质量份的组分：碳化硅纳米颗粒1.45～4.09份、六方氮化硼片0.47份、环氧树脂25份、固化剂22份、促进剂0.03份。本发明以低填充量向环氧树脂中共掺杂半导体碳化硅纳米颗粒和绝缘体六方氮化硼片，既提高了复合绝缘材料的电导非线性，同时也保证了稳定的直流击穿场强和较低的阈值场强，使复合绝缘材料达到电气性能的综合要求。将本发明环氧树脂基复合绝缘材料应用到高压直流套管内，能够保证高压套管的运行稳定性，延长高压套管的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN117683351B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202311549291.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜及其制备方法和在电气绝缘中的应用，属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明通过向聚酰亚胺分子链上引入大体积基团芴和金属氧化铝团簇(‑AOC)，制备了具有高击穿场强的聚酰亚胺薄膜材料，该聚酰亚胺介质材料在室温下的直流击穿场强为672.2MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了54.6％，在150℃下的直流击穿场强为651.9MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了56.9％。
-
公开(公告)号：CN117866127A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112679637A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011571990.6
申请日：2020-12-27
Applicant: 苏州固泰新材股份有限公司 , 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于压电材料技术领域，具体涉及一种聚偏氟乙烯压电复合薄膜的制备方法。其包括如下步骤：制备碳纳米管悬浮液、PVDF悬浮聚合、拉伸成膜和冷却卷收。本发明提供的技术方案在悬浮聚合制备PVDF过程中加入碳纳米管悬浮液，有效防止了纳米微粒的团聚问题，保证了其在PVDF中重复发挥结晶核的作用，从而制备出了β晶含量很高的PVDF压片，然后通过控制后续成膜过程，防止了在成膜过程中β晶向α晶的转化，最终获得了高β晶含量的PVDF压电薄膜。
-
公开(公告)号：CN117683351A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311549291.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺基复合电介质薄膜及其制备方法和在电气绝缘中的应用，属于聚酰亚胺基改性复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚酰亚胺电介质材料本征绝缘特性较差的技术问题。本发明通过向聚酰亚胺分子链上引入大体积基团芴和金属氧化铝团簇(‑AOC)，制备了具有高击穿场强的聚酰亚胺薄膜材料，该聚酰亚胺介质材料在室温下的直流击穿场强为672.2MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了54.6％，在150℃下的直流击穿场强为651.9MV/m，比传统选用均苯四甲酸酐和二氨基二苯醚制备的聚酰亚胺介质材料提高了56.9％。
-
公开(公告)号：CN112679637B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011571990.6
申请日：2020-12-27
Applicant: 苏州固泰新材股份有限公司 , 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于压电材料技术领域，具体涉及一种聚偏氟乙烯压电复合薄膜的制备方法。其包括如下步骤：制备碳纳米管悬浮液、PVDF悬浮聚合、拉伸成膜和冷却卷收。本发明提供的技术方案在悬浮聚合制备PVDF过程中加入碳纳米管悬浮液，有效防止了纳米微粒的团聚问题，保证了其在PVDF中重复发挥结晶核的作用，从而制备出了β晶含量很高的PVDF压片，然后通过控制后续成膜过程，防止了在成膜过程中β晶向α晶的转化，最终获得了高β晶含量的PVDF压电薄膜。
-
公开(公告)号：CN109097841B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810819906.4
申请日：2018-07-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: D01D5/00 , D04H1/728 , D04H1/74 , D04H1/4374 , D04H1/558 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种各向异性纳米纤维聚偏氟乙烯基复合介质及其制备方法，所述复合介质由BZCT NFs填充相和PVDF复合而成，所述BZCT NFs填充相在复合介质中定向或非定向排布，含量为1～20vol％。本发明采用溶胶‑凝胶法和静电纺丝技术制备具有大长径比的BZCT NFs；进而利用溶液法配制纳米纤维均匀分散的PVDF混合溶液；最终结合静电纺丝技术和淬火工艺获得定向或非定向BZCT‑PVDF。本发明制备的一维无机填充相‑聚合物基复合介质具有明显的各向异性，具有集成、高效、灵活、轻量和低成本优势，可用于先进商业、航空航天和军事领域，推动高性能聚合物基纳米复合材料的发展。
-
公开(公告)号：CN108998893B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810820695.6
申请日：2018-07-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: D04H1/728 , D04H1/4382 , D01F6/48 , D01F1/10 , H01G4/16
Abstract: 本发明公开了一种梯度结构聚偏氟乙烯基复合介质及其制备方法，所述复合介质由BZCT NFs填充相和PVDF复合而成的，所述BZCT NFs填充相在复合介质中呈含量梯度多层排布。本发明结合溶胶‑凝胶法、静电纺丝技术以及热压等工艺制备了大长径比无机纳米纤维填充相和聚偏氟乙烯基复合薄膜介质，并将上述纳米纤维/聚合物基复合薄膜介质进行高温热压和淬火处理，获得了致密的复合薄膜。本发明制备的具有一维纳米填充相含量梯度的多层结构/聚合物基复合电介质具有柔韧性好、成本低、击穿强度高、储能性能优异等特点，能够缓冲高含量无机填充相带来的局部电场畸变，进而提高其储能性能，用以制造出高性能的能量储存器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.025 seconds)
