一种多层结构聚醚酰亚胺储能复合介质薄膜及其应用

    公开(公告)号:CN119410010A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411529686.3

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 一种多层结构聚醚酰亚胺储能复合介质薄膜及其应用,本发明属于储能电介质材料及其制备技术领域。本发明的目的是要解决现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温介电损耗大、储能性能差的问题。多层结构聚醚酰亚胺储能复合介质薄膜为三层结构,且由散射电子层和捕获电子层组成;其中一种结构是两个表层为散射电子层,中间层为捕获电子层;另外一种结构是两个表层为捕获电子层,中间层为散射电子层;所述的散射电子层由聚醚酰亚胺和4‑N,N‑二甲胺基苯硼酸复合而成;所述的捕获电子层由聚醚酰亚胺和四氟四氰基喹啉二甲烷复合而成。本发明属于全有机体系,适宜于规模化生产,为规模化生产高温高场且长期使役用储能全有机复合薄膜制备提供新的研发思路。

    一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用

    公开(公告)号:CN117757147A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311726912.2

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用。本发明属于储能电介质材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差和介电损耗高的技术问题。本发明运用磁控溅射技术制备核壳结构填料,通过调控磁控溅射的溅射时间,获得具有较大的能带隙差的BN@MgO颗粒,再将氮化硼包覆氧化镁颗粒引入聚醚酰亚胺基体内,在氮化硼包覆氧化镁颗粒内部形成异质结构建局部电场以抑制击穿路径,这种核壳结构可以有效抵消外加电场的作用,并且可以有效抑制载流子在复合介质内部的输运,降低了复合介质的电流密度,最终有效改善了复合介质在宽温度范围内的绝缘性能。

    一种电缆附件用硅橡胶/交联聚乙烯复合介质的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN120032958A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510171478.9

    申请日:2025-02-17

    Abstract: 一种电缆附件用硅橡胶/交联聚乙烯复合介质的制备方法和应用,它属于复合介质的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有技术中随着电缆的长期运行,硅脂会扩散到硅橡胶中,发生溶胀现象,导致硅橡胶的绝缘性能下降,导致故障率升高的问题。方法:一、制备硅橡胶;二、制备交联聚乙烯;三、制备掺杂改性硅脂;四、将改性后的硅脂涂覆到硅橡胶的表面上,再覆盖交联聚乙烯。2,3,5,6‑四氟‑7,7’,8,8’‑四氰二甲基对苯醌作为填料引入到硅脂中,构建载流子陷阱,阻碍载流子的注入和传输。在这种填料和硅脂的协同作用下,增强分子间的作用力,减小了硅脂滑移,从而硅橡胶与交联聚乙烯复合界面的电气绝缘特性会被进一步的增加。

    一种有机缔合分子/聚醚酰亚胺储能复合介质薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119410145A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411529684.4

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 一种有机缔合分子/聚醚酰亚胺储能复合介质薄膜及其制备方法和应用,它属于储能电介质材料及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有聚醚酰亚胺基储能复合介质绝缘特性差、电导损耗高、储能密度低的问题。一种有机缔合分子/聚醚酰亚胺储能复合介质薄膜,由有机缔合分子和聚醚酰亚胺复合而成;所述的有机缔合分子由斥电子特性有机小分子和亲电子特性有机小分子通过非共价键缔合而成;有机分子缔合填料,分子间作用力强,能够形成较多的离域结构,既增强了电子的捕获作用,又可通过强散射效应避免电荷的积聚。一种有机缔合分子/聚醚酰亚胺储能复合介质薄膜作为脉冲电容器的储能材料使用或用于电热场耦合条件下的脉冲储能装置。

    一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117683350B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202311549289.8

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用,属于储能电介质材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差,介电损耗高等问题。本发明将有机斥电子小分子半导体4‑NND引入聚醚酰亚胺聚合物中,有机小分子半导体较高的最低未占有分子轨道可于聚醚酰亚胺体内建立有机载流子屏障,小分子较大的带隙可进一步保证复合介质的绝缘特性,最终实现载流子传输阻碍,且可避免介质体内的载流子积聚。同时引入的4‑NND含有丰富的羟基基团,可提升储能介质的介电性能。结果表明,制备的复合介质在150℃、580kV/mm、充放电效率为90%时,放电能量密度达到5.21J/cm3。

    一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用

    公开(公告)号:CN117757147B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202311726912.2

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用。本发明属于储能电介质材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差和介电损耗高的技术问题。本发明运用磁控溅射技术制备核壳结构填料,通过调控磁控溅射的溅射时间,获得具有较大的能带隙差的BN@MgO颗粒,再将氮化硼包覆氧化镁颗粒引入聚醚酰亚胺基体内,在氮化硼包覆氧化镁颗粒内部形成异质结构建局部电场以抑制击穿路径,这种核壳结构可以有效抵消外加电场的作用,并且可以有效抑制载流子在复合介质内部的输运,降低了复合介质的电流密度,最终有效改善了复合介质在宽温度范围内的绝缘性能。

    一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117683350A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311549289.8

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜及其制备方法和应用,属于储能电介质材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差,介电损耗高等问题。本发明将有机斥电子小分子半导体4‑NND引入聚醚酰亚胺聚合物中,有机小分子半导体较高的最低未占有分子轨道可于聚醚酰亚胺体内建立有机载流子屏障,小分子较大的带隙可进一步保证复合介质的绝缘特性,最终实现载流子传输阻碍,且可避免介质体内的载流子积聚。同时引入的4‑NND含有丰富的羟基基团,可提升储能介质的介电性能。结果表明,制备的复合介质在150℃、580kV/mm、充放电效率为90%时,放电能量密度达到5.21J/cm3。

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