汞离子光电化学传感器工作电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105784806B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201610294911.9

    申请日:2016-05-04

    IPC分类号: G01N27/30

    摘要: 本发明公开了汞离子光电化学传感器工作电极及其制备方法和应用,属于化学分析检测技术领域。本发明光电化学传感器工作电极首先由二氧化钛纳米线在FTO导电玻璃上水热合成氨基化的二氧化钛纳米线;然后将光敏分子与氨基化的二氧化钛纳米线通过化学键合偶联得到。该传感器工作电极对汞离子的具有高选择性和高灵敏度的优点,且响应速度快,响应范围为0.5 nmol·L‑1–50μmol·L‑1,检测限达到0.15 nmol·L‑1。增强了汞离子光电化学传感器对汞离子识别的精确控制,且光敏染料分子结构稳定有利于维持传感器稳定性,具有很好的开发前景。

    汞离子光电化学传感器工作电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105784806A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610294911.9

    申请日:2016-05-04

    IPC分类号: G01N27/30

    CPC分类号: G01N27/305

    摘要: 本发明公开了汞离子光电化学传感器工作电极及其制备方法和应用,属于化学分析检测技术领域。本发明光电化学传感器工作电极首先由二氧化钛纳米线在FTO导电玻璃上水热合成氨基化的二氧化钛纳米线;然后将光敏分子与氨基化的二氧化钛纳米线通过化学键合偶联得到。该传感器工作电极对汞离子的具有高选择性和高灵敏度的优点,且响应速度快,响应范围为0.5 nmol·L?1 – 50 μmol·L?1,检测限达到0.15 nmol·L?1。增强了汞离子光电化学传感器对汞离子识别的精确控制,且光敏染料分子结构稳定有利于维持传感器稳定性,具有很好的开发前景。