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公开(公告)号：CN111312888A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010036059.1
申请日：2020-01-14
申请人： 四川大学
摘要： 本发明属于材料领域，公开了通过Bi、Cu、Cd掺杂提高SnTe热电性能的方法，按0.99-x:x:0.03:0.1:1.05的摩尔比例称取Sn粉、Bi粉、Cd粉、Cu粉和Te粉，其中x的值为0.01~0.07，随后放入石英管内抽真空封管，依次通过箱式炉烧结、箱式炉退火、快速热压炉烧结，得到Bi、Cu、Cd掺杂的SnTe化合物热电材料。本发明方法工艺流程简单，操作性强，可重复性高，所制得的SnTe掺Bi、Cu、Cd化合物具有结晶度高、致密度高等特性，并可大幅提高SnTe热电材料的性能，具有很强的应用前景。
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公开(公告)号：CN107768512A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710957013.1
申请日：2017-10-16
申请人： 四川大学
摘要： 本发明属于材料领域，公开了通过Zn掺杂提高SnTe热电性能的方法，按1-x:x:1的元素比例分别称取Sn粉、Zn粉和Te粉，其中x的值位0.01～0.05，研磨混合均匀压制成片后放入石英管内抽真空封管，依次通过箱式炉、放电等离子体烧结炉进行烧结，得到Zn掺杂的SnTe化合物热电材料。本发明方法工艺操作简单，可重复性高，所制得的SnTe掺Zn化合物具有结晶度高、杂质少、致密度高等特性，并可使SnTe热电材料性能大幅提高。
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公开(公告)号：CN107768512B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710957013.1
申请日：2017-10-16
申请人： 四川大学
摘要： 本发明属于材料领域，公开了通过Zn掺杂提高SnTe热电性能的方法，按1‑x:x:1的元素比例分别称取Sn粉、Zn粉和Te粉，其中x的值位0.01～0.05，研磨混合均匀压制成片后放入石英管内抽真空封管，依次通过箱式炉、放电等离子体烧结炉进行烧结，得到Zn掺杂的SnTe化合物热电材料。本发明方法工艺操作简单，可重复性高，所制得的SnTe掺Zn化合物具有结晶度高、杂质少、致密度高等特性，并可使SnTe热电材料性能大幅提高。
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公开(公告)号：CN107565011A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710845594.X
申请日：2017-09-19
申请人： 四川大学
摘要： 本发明属于材料领域，涉及基于Ga元素掺杂有效提高PbTe热电性能的方法，按1:x:1-x的元素比例分别称取Pb粉、Te粉和Ga块，其中x的值分别取0.01～0.05，研磨混合压制成片后放入石英管内抽真空封管，依次烧结、放电等离子体烧结，得到Ga掺杂的PbTe化合物热电材料。本发明提供的Ga元素掺杂提高PbTe热电优值的方法，可用于PbTe掺杂样品的制备以及性能的提高，工艺操作简单，可重复性高。该方法通过调节升降温速率、成相温度、保温时间等工艺参数控制PbTe化合物的成相度、致密度、微结构，可控性强；所制得的PbTe掺Ga化合物结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低以及热电性能高等特性。
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公开(公告)号：CN110445419A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910697638.8
申请日：2019-07-30
申请人： 四川大学
IPC分类号： H02N11/00
摘要： 本发明公开了一种可实现参数精确调控与测量的水热循环型温差发电系统，包括温差发电装置，温差发电装置的隔热外壳内安装有冷热端换热水箱，冷热端换热水箱之间夹层中安装有温差发电片；冷热端换热水箱的进水口与冷热水循环回路的出水管道相连通，出水口与冷热水循环回路的回水管道相连通；温差发电片通过引出电极线与外部的电量输出回路相连接，数据采集和显示系统通过信号线分别与温差发电装置和冷热水循环回路相连接。本发明可实现单个系统的精确调控及性能测试，从而实现高效能量转换，基于此可进一步按用户电器对输出电压和功率的需求进行大规模集成，以满足任何工程的实际需要；此系统结构简单、运行稳定且成本低廉。
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公开(公告)号：CN110445419B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910697638.8
申请日：2019-07-30
申请人： 四川大学
IPC分类号： H02N11/00
摘要： 本发明公开了一种可实现参数精确调控与测量的水热循环型温差发电系统，包括温差发电装置，温差发电装置的隔热外壳内安装有冷热端换热水箱，冷热端换热水箱之间夹层中安装有温差发电片；冷热端换热水箱的进水口与冷热水循环回路的出水管道相连通，出水口与冷热水循环回路的回水管道相连通；温差发电片通过引出电极线与外部的电量输出回路相连接，数据采集和显示系统通过信号线分别与温差发电装置和冷热水循环回路相连接。本发明可实现单个系统的精确调控及性能测试，从而实现高效能量转换，基于此可进一步按用户电器对输出电压和功率的需求进行大规模集成，以满足任何工程的实际需要；此系统结构简单、运行稳定且成本低廉。
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公开(公告)号：CN107565011B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201710845594.X
申请日：2017-09-19
申请人： 四川大学
摘要： 本发明属于材料领域，涉及基于Ga元素掺杂有效提高PbTe热电性能的方法，按1:x:1‑x的元素比例分别称取Pb粉、Te粉和Ga块，其中x的值分别取0.01～0.05，研磨混合压制成片后放入石英管内抽真空封管，依次烧结、放电等离子体烧结，得到Ga掺杂的PbTe化合物热电材料。本发明提供的Ga元素掺杂提高PbTe热电优值的方法，可用于PbTe掺杂样品的制备以及性能的提高，工艺操作简单，可重复性高。该方法通过调节升降温速率、成相温度、保温时间等工艺参数控制PbTe化合物的成相度、致密度、微结构，可控性强；所制得的PbTe掺Ga化合物结晶度高、杂质少、致密度高、热导率低以及热电性能高等特性。
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