黄光余辉材料及其制备方法和使用它的LED照明装置

    公开(公告)号:CN101705095A

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200910307357.3

    申请日:2009-09-21

    IPC分类号: C09K11/80

    摘要: 本发明涉及一种黄光余辉材料及其制备方法和使用它的LED照明装置。所述黄光余辉材料的化学组成是:aY2O3·bAl2O3·cSiO2:mCe·nB·xNa·yP,a,b,c,m,n,x,y为系数,1≤a≤2,2≤b≤3,0.001≤c≤1,0.0001≤m≤0.6,0.0001≤n≤0.5,0.0001≤x≤0.2,0.0001≤y≤0.5,其中,Y,Al,Si为基质元素,Ce,B,Na,P为激活剂。其制备方法是根据摩尔比称取各元素的氧化物或在高温加热时能够产生氧化物的物质为原料,混合均匀后于还原气氛下1200~1700℃下烧结而得。该材料用紫外光和可见光激发时发黄色荧光,停止激发后发射明亮的黄色余辉。可应用于直流和/或交流LED照明装置。

    交流LED白光发光装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102074644B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010537984.9

    申请日:2010-11-09

    摘要: 本发明涉及一种交流LED白光发光装置,属于白光LED制造技术领域。本发明所要解决的技术问题在于低成本地解决LED在交流驱动下的频闪问题,同时解决多个LED集成封装导致的散热不畅等一系列问题。本发明的技术方案:LED白光发光单元,包括LED芯片和能够在此LED芯片激发下发光的发光材料,其特征在于:所述发光材料的发光寿命是1-100ms(优选10-30ms),所述LED芯片是只包含一个发光PN结的LED芯片,LED芯片发出的光与发光材料发出的光的混合色为白色;其中所述LED白光发光单元采用频率不大于100赫兹的交流电驱动。本发明LED发光装置不使用现有的多LED集成封装的交流LED芯片,而使用普通单PN节LED芯片即可决交流电源引起的频闪问题,生产简单、成本低。

    黄光余辉材料及其制备方法和使用它的LED照明装置

    公开(公告)号:CN101705095B

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:CN200910307357.3

    申请日:2009-09-21

    IPC分类号: C09K11/80

    摘要: 本发明涉及一种黄光余辉材料及其制备方法和使用它的LED照明装置。所述黄光余辉材料的化学组成是:aY2O3·bAl2O3·cSiO2:mCe·nB·xNa·yP,a,b,c,m,n,x,y为系数,1≤a≤2,2≤b≤3,0.001≤c≤1,0.0001≤m≤0.6,0.0001≤n≤0.5,0.0001≤x≤0.2,0.0001≤y≤0.5,其中,Y,Al,Si为基质元素,Ce,B,Na,P为激活剂。其制备方法是根据摩尔比称取各元素的氧化物或在高温加热时能够产生氧化物的物质为原料,混合均匀后于还原气氛下1200~1700℃下烧结而得。该材料用紫外光和可见光激发时发黄色荧光,停止激发后发射明亮的黄色余辉。可应用于直流和/或交流LED照明装置。

    交流LED白光发光装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102074644A

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN201010537984.9

    申请日:2010-11-09

    摘要: 本发明涉及一种交流LED白光发光装置,属于白光LED制造技术领域。本发明所要解决的技术问题在于低成本地解决LED在交流驱动下的频闪问题,同时解决多个LED集成封装导致的散热不畅等一系列问题。本发明的技术方案:LED白光发光单元,包括LED芯片和能够在此LED芯片激发下发光的发光材料,其特征在于:所述发光材料的发光寿命是1-100ms(优选10-30ms),所述LED芯片是只包含一个发光PN结的LED芯片,LED芯片发出的光与发光材料发出的光的混合色为白色;其中所述LED白光发光单元采用频率不大于100赫兹的交流电驱动。本发明LED发光装置不使用现有的多LED集成封装的交流LED芯片,而使用普通单PN节LED芯片即可决交流电源引起的频闪问题,生产简单、成本低。

    一种交流LED发光装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102468413A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010537835.2

    申请日:2010-11-09

    CPC分类号: H05B33/0809 H01L33/502

    摘要: 本发明涉及一种交流LED发光装置,属于LED制造技术领域。本发明所要解决的技术问题在于低成本地解决在交流供电的方式下的频闪问题,同时解决微晶片集成导致散热不畅等一系列问题。本发明的技术方案:LED发光单元,包括LED芯片和能够在此LED芯片激发下发光的发光材料,其特征在于:所述发光材料的发光寿命是1-100ms,所述LED芯片是只包含一个发光PN结的LED芯片,所述LED发光单元采用频率不大于100赫兹的交流电驱动。本发明LED发光装置不使用现有的多颗微晶粒集成的交流LED芯片,而使用传统单PN节LED芯片,在交流电周期内发光亮度波动起伏不大,解决了交流电源引起的频闪问题,生产简单、成本低。

    一种同源靶向NIR-II荧光成像纳米平台及其制备方法和在肿瘤成像中的应用

    公开(公告)号:CN118903477A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410808344.9

    申请日:2024-06-21

    IPC分类号: A61K49/00

    摘要: 本发明公开了一种同源靶向NIR‑II区荧光成像纳米平台及其制备方法和在肿瘤成像中的应用,属于荧光材料技术领域,以CsLu(1‑x‑y)YbxEryFz纳米颗粒为发光中心,对其进行水溶性处理后通过挤压法将癌细胞膜包覆在其表面,即形成同源靶向NIR‑II区荧光成像纳米平台,具有NIR‑II区1525nm发射的荧光成像探针,与现有NIR‑I区的成像平台相比,NIR‑II区成像具有更高的空间分辨率、信噪比和穿透深度,更适合体内荧光成像。此外,本发明提供的肿瘤细胞膜包覆靶向策略具有更好的生物相容性和肿瘤主动靶向能力,有助于纳米荧光成像探针在肿瘤部位的富集。

    一种塑料降解催化剂、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN115672381B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202211180328.7

    申请日:2022-09-27

    IPC分类号: B01J29/12 C10G1/10

    摘要: 本发明提供一种塑料降解催化剂,包括氢型分子筛、负载在所述氢型分子筛上的稀土元素和贵金属;所述稀土元素为镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钇和钪中的一种或几种,稀土元素的负载量为氢型分子筛质量的0.2~30%;所述贵金属为铂、钯、铑、金和钌中的一种或几种,贵金属的负载量为氢型分子筛质量的0.1~10%。本发明对贵金属负载的氢型分子筛催化剂进行稀土元素掺杂改性,制备出多组分多功能的杂化纳米材料。通过调控贵金属和稀土元素的电子态,实现对聚烯烃塑料裂解反应的产物可控,提高了C5‑C12汽油类产品的选择性。本发明还提供了一种塑料降解催化剂的制备方法及应用。

    一种制备双钙钛矿结构稀土发光晶体的方法

    公开(公告)号:CN115746853B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202211520354.X

    申请日:2022-11-30

    IPC分类号: C09K11/85 C01F17/30

    摘要: 本发明涉及无机晶体发光材料技术领域,具体是一种制备双钙钛矿结构稀土发光晶体的方法。本发明提供了一种制备双钙钛矿结构稀土发光晶体的方法,包括以下步骤:将钠盐、稀土金属盐和铯盐在水溶液中加热反应,得到双钙钛矿结构稀土发光晶体;所述钠盐、稀土金属盐和铯盐中的至少一种为氯化盐。本发明提供的方法可以水为溶剂,在开放性体系中进行低温加热反应得到双钙钛矿结构稀土发光晶体,方法简便,成本低;重复性好,有利于工业化大批量生产,具有良好的应用前景及潜在的经济效益。实验表明,通过本发明的方法成功以水为溶剂在低温下反应得到双钙钛矿结构稀土发光晶体,所得晶体为纯相,无杂峰,在紫外光或近红外光激发下能够获得明亮的发光。