公开(公告)号：CN105226064B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510368628.1

申请日：2015-06-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 大形公士 ,  川嶋祥之 ,  茶木原启 ,  林伦弘

IPC分类号： H01L27/11519 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/08 ,  H01L29/792 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/792

摘要： 本申请涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种具有提高的可靠性的半导体器件。在根据一个实施例的半导体器件中，沿X方向延伸的元件隔离区域具有交叉区域，该交叉区域与沿Y方向延伸的存储器栅极电极在平面图中交叉，Y方向与X方向以直角相交。在这种情况下，在交叉区域中，靠近源极区域的一个边沿侧的在Y方向上的宽度大于靠近控制栅极电极的另一边沿侧的在Y方向上的宽度。

公开(公告)号：CN106298540B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510781155.8

申请日：2015-11-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨育佳 ,  叶致锴 ,  柯志欣 ,  吴政宪 ,  陈亮吟 ,  于雄飞 ,  陈燕铭 ,  杨建伦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 提供了一种方法，包括：在半导体鳍上形成硅覆盖层；在硅覆盖层上方形成界面层；在界面层上方形成高k栅极介电层；以及在高k栅极介电层上方形成脱氧金属层。然后，对硅覆盖层、界面层、高k栅极介电层、和脱氧金属层执行退火。填充金属沉积在高k栅极介电层上方。本发明还提供了一种具有脱氧栅极堆叠件的多栅极场效应晶体管。

公开(公告)号：CN106601663B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510683914.7

申请日：2015-10-20

申请人： 上海新昇半导体科技有限公司

发明人： 肖德元 ,  张汝京

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/32

摘要： 本发明提供一种SOI衬底及其制备方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底上形成有第一介质层；对所述第一衬底进行重氢离子注入，预定深度的所述第一衬底中形成重氢掺杂层；提供第二衬底，所述第二衬底上形成有第二介质层，将所述第一介质层与所述第二介质层相键合；进行热退火，所述重氢掺杂层中形成微气泡；从所述重氢掺杂层处切割所述第一衬底，形成SOI衬底。本发明的SOI衬底的上层硅中存在重氢离子，在后续器件形成栅氧化层或界面时，重氢能够扩散出，与界面处的悬空键结合，形成较为稳定的结构。并且，重氢离子可以消除器件中存在的缺陷，避免热载流子的穿透。从而不需要进行氢气退火以消除缺陷，简化器件的工艺流程，提高器件的性能及可靠性。

公开(公告)号：CN109698129A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811245427.2

申请日：2018-10-24

申请人： 半导体组件工业公司

发明人： 李孟家 ,  R·N·瓦尔

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26526 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

摘要： 本公开涉及半导体器件结构及用于制造半导体器件结构的方法。本文的系统和方法涉及半导体器件及其制造方法，包括多个无源沟槽的形成，在各种实施方案中，所述多个无源沟槽充当单个无源沟槽并且可连接到栅极电极和/或发射极。

公开(公告)号：CN109326606A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810856293.1

申请日：2018-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄盛珉 ,  李东植 ,  任峻成

IPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/40117 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

摘要： 一种垂直存储器件被提供。该垂直存储器件包括衬底、第一栅电极、沟道、第一布线和第二布线。衬底包括单元区域和外围电路区域。第一栅电极在衬底的单元区域上在第一方向上彼此间隔开，第一方向基本上垂直于衬底。沟道在单元区域上在第一方向上延伸穿过第一栅电极的一部分。第一布线形成在单元区域上，并且设置在第一层级处，该第一层级在第一方向上比其上分别形成第一栅电极的栅电极层级更高。第二布线形成在外围电路区域上，并且设置在第一层级处和在比栅电极层级更高的第二层级处。

公开(公告)号：CN109103083A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810610437.5

申请日：2018-06-14

申请人： 佳能株式会社

发明人： 小林昌弘 ,  关根宽 ,  大贯裕介 ,  小泉彻

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L27/146 ,  H04N5/235 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC分类号： H01L27/1461 ,  G06K9/00791 ,  G06T7/593 ,  G06T2207/10012 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/74 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/232 ,  H04N5/23229 ,  H04N5/353 ,  H04N5/37452 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14605 ,  H04N5/2353 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

摘要： 公开了成像装置、成像系统、移动体以及用于制造成像装置的方法。成像装置包括：第一导电类型的光电转换单元；第一导电类型的电荷保持单元，电荷保持单元被配置为保持从光电转换单元传输的电荷；第一导电类型的浮置扩散单元，浮置扩散单元被配置为接收从电荷保持单元传输的电荷；第二导电类型的击穿防止层，击穿防止层被设置在电荷保持单元和浮置扩散单元之间以接触浮置扩散单元；以及第一导电类型的传输辅助层，传输辅助层被设置在击穿防止层和半导体基板的表面之间。

公开(公告)号：CN109065443A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810898899.1

申请日：2018-08-08

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 王鹏鹏

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66568

摘要： 本发明提供了一种提高MOS晶体管击穿电压的方法及MOS晶体管的制造方法，通过在MOS晶体管源/漏极形成之前，对源/漏极所在衬底表面进行锗离子注入，以改变源/漏极所在衬底表面的晶体结构，减小源/漏极注入离子的扩散过程，降低横向电场强度，进而到达提高MOS晶体管击穿电压的效果。进一步的，本发明提供的一种提高MOS晶体管击穿电压的方法，仅在形成源/漏极之前添加一步锗离子注入，在达到提高击穿电压的目的同时，不影响器件的其他各项性能，且兼容现有工艺，简便易行。

公开(公告)号：CN108962754A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710355767.X

申请日：2017-05-19

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 赵猛

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，其包括：衬底和在衬底上的栅极结构；栅极结构包括：栅极电介质层、栅极和在栅极两侧的侧壁上的间隔物层；对衬底进行刻蚀以形成分别在栅极结构两侧的第一凹陷和第二凹陷；对间隔物层的在栅极至少一侧的侧壁上的部分进行刻蚀以露出衬底的至少一部分；形成填充第一凹陷的源极和填充第二凹陷的漏极；源极包括在第一凹陷中的第一源极部分和在第一源极部分上的第二源极部分，漏极包括在第二凹陷中的第一漏极部分和在第一漏极部分上的第二漏极部分；第二源极部分和第二漏极部分中的至少一个覆盖衬底的被露部分。本发明增大了源极或漏极与沟道区的接触电阻。

公开(公告)号：CN108417625A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810482333.0

申请日：2015-02-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  A·毛德 ,  E·格瑞布尔

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683 ,  H01L23/544 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 空腔形成在形成于半导体基底层的第一半导体层中。空腔从第一半导体层的处理表面延伸至基底层。凹陷的掩模衬垫形成在空腔侧壁的远离表面的部分上，或者掩模插塞形成在空腔的远离处理表面的部分中。第二半导体层通过外延生长在处理表面上。第二半导体层跨越空腔。

公开(公告)号：CN103311246B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201310074966.5

申请日：2013-03-11

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 佐山弘和

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 提供一种具有高击穿电压并且实现对寄生双极晶体管的作用的抑制的半导体器件以及制造该器件的方法。半导体器件中所包括的高击穿电压p沟道型晶体管具有在半导体衬底中且在所述半导体衬底中的p型区域的主表面侧（上侧）布置的第一n型半导体层、以及在第一p型掺杂剂区域正下方布置为接触所述第一n型半导体层的局部n型掩埋区域。