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公开(公告)号：CN101889101B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200880119425.7
申请日：2008-12-05
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： G11B5/84 , G11B5/855 , H01J37/3438
摘要： 本发明提供一种用于蚀刻图案化的介质盘片的系统。可动的非接触电极被利用来执行溅射蚀刻。电极移动到几乎接触的距离但是并未接触基板以将RF能量耦合到盘片。待蚀刻的材料可以是金属，例如Co、Pt、Cr或类似金属。基板竖直保持在承载器中并且两个侧面顺次被蚀刻。也就是，一个侧面在一个腔室中被蚀刻，然后在下一腔室中第二侧面被蚀刻。隔离阀布置在两个腔室之间，盘片承载器在腔室之间移动盘片。承载器可以是利用例如磁化轮和直线电机的线性驱动承载器。
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公开(公告)号：CN101889101A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119425.7
申请日：2008-12-05
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： G11B5/84 , G11B5/855 , H01J37/3438
摘要： 本发明提供一种用于蚀刻图案化的介质盘片的系统。可动的非接触电极被利用来执行溅射蚀刻。电极移动到几乎接触的距离但是并未接触基板以将RF能量耦合到盘片。待蚀刻的材料可以是金属，例如Co、Pt、Cr或类似金属。基板竖直保持在承载器中并且两个侧面顺次被蚀刻。也就是，一个侧面在一个腔室中被蚀刻，然后在下一腔室中第二侧面被蚀刻。隔离阀布置在两个腔室之间，盘片承载器在腔室之间移动盘片。承载器可以是利用例如磁化轮和直线电机的线性驱动承载器。
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公开(公告)号：CN101889325B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200880119457.7
申请日：2008-12-05
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G11B5/84 , G11B5/855 , H01J37/3438
摘要： 本发明公开一种用于蚀刻构图介质磁盘的系统。利用可移动电极执行溅射蚀刻。将电极移动到靠近衬底或者稍微接触衬底以将RF能量耦合到所述磁盘。将被蚀刻的材料可以是例如Co/Pt/Cr的金属或者类似金属。将衬底垂直保持在载体中并且按顺序蚀刻衬底的两侧。即，在一个腔中蚀刻一侧然后在下一个腔中蚀刻第二侧。在两个腔之间设置隔离阀并且磁盘载体在腔之间移动所述磁盘。所述载体可以是使用例如磁化轮和线性电机的线性驱动载体。
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公开(公告)号：CN101889325A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119457.7
申请日：2008-12-05
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G11B5/84 , G11B5/855 , H01J37/3438
摘要： 本发明公开一种用于蚀刻构图介质磁盘的系统。利用可移动电极执行溅射蚀刻。将电极移动到靠近衬底或者稍微接触衬底以将RF能量耦合到所述磁盘。将被蚀刻的材料可以是例如Co/Pt/Cr的金属或者类似金属。将衬底垂直保持在载体中并且按顺序蚀刻衬底的两侧。即，在一个腔中蚀刻一侧然后在下一个腔中蚀刻第二侧。在两个腔之间设置隔离阀并且磁盘载体在腔之间移动所述磁盘。所述载体可以是使用例如磁化轮和线性电机的线性驱动载体。
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