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公开(公告)号:CN115911190A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211554339.7
申请日:2022-12-05
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要: 本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法,具体包括:选用正背面已沉积透明导电薄膜层的太阳能电池片;在PVD或RDP载板夹具上放置mask图形模板,其中mask图形模板上切割或者刻蚀有若干闭合实线区域,通过PVD或RPD等方法在沉积透明导电薄膜层后的N型晶硅衬底的背面依次沉积高导电层和抗氧化保护层栅线,高导电层采用铜金属;所述抗氧化保护层为锡、银、铝、钛、铬、镍等金属及其合金或导电的氧化物和氮化物;在背面已沉积抗氧化保护层的N型晶硅衬底的背面再沉积第二层透明导电薄膜层,本发明通过增加第二层透明导电薄膜层,增加了高导电层与第二层透明导电薄膜层之间的接触面积,从而增加了结合力,避免脱栅的情况发生。