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公开(公告)号：CN115911190A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211554339.7
申请日：2022-12-05
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法，具体包括：选用正背面已沉积透明导电薄膜层的太阳能电池片；在PVD或RDP载板夹具上放置mask图形模板，其中mask图形模板上切割或者刻蚀有若干闭合实线区域，通过PVD或RPD等方法在沉积透明导电薄膜层后的N型晶硅衬底的背面依次沉积高导电层和抗氧化保护层栅线，高导电层采用铜金属；所述抗氧化保护层为锡、银、铝、钛、铬、镍等金属及其合金或导电的氧化物和氮化物；在背面已沉积抗氧化保护层的N型晶硅衬底的背面再沉积第二层透明导电薄膜层，本发明通过增加第二层透明导电薄膜层，增加了高导电层与第二层透明导电薄膜层之间的接触面积，从而增加了结合力，避免脱栅的情况发生。
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公开(公告)号：CN116581200A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310748784.5
申请日：2023-06-25
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0725 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿异质结叠层电池中底电池的制备方法，具体包括以下步骤：将硅片正背面制绒，沉积硼掺杂硅薄膜层，抛光处理，清洗处理和镀膜。本发明通过采用化学气相沉积的方式在硅片的其中一面沉积一层硼掺杂硅薄膜层，添加了抛光添加剂的碱溶液将未沉积硼掺杂硅薄膜层的硅片金字塔绒面进行抛光处理，形成一面抛光一面制绒的硅片结构，大大的降低了的硅片单面抛光的制备成本，之后采用氢氟酸加氧化剂溶液对硅片进行清洗，以去除硼掺杂硅薄膜层，避免硼掺杂硅薄膜层由于具有非常高的缺陷密度而导致后续电池效率降低。
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公开(公告)号：CN116387410A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211590881.8
申请日：2022-12-12
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：对硅片进行制绒处理，并将完成制绒处理的硅片置于硝酸溶液中进行氧化；将完成氧化的硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，以对硅片背面的金字塔陷光结构进行抛光；抛光完成后，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，并在硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片的正背面均沉积一层透明导电薄膜，并在硅片背面的透明导电薄膜的表面沉积一层导电金属层；在导电金属层的表面沉积一层抗氧化保护层，而后在硅片正面的印刷栅线。本发明提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
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公开(公告)号：CN116169197A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310070859.9
申请日：2023-02-07
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明提出一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法，该晶硅异质结太阳电池包括硅片；在所述硅片的正面依次层叠的本征非晶硅层、磷掺杂的n型非晶硅层、第一透明氧化层，所述第一透明氧化层包括依次层叠于所述磷掺杂的n型非晶硅层上的第一ITO子层、第二ITO子层以及第三ITO子层；在所述硅片的背面依次层叠的所述本征非晶硅层、硼掺杂的p型非晶硅层、第二透明氧化层、过渡层、金属导电层、抗氧化层以及焊接层，所述第二透明氧化层包括第四ITO子层、第五AZO子层以及第六ITO子层。本发明提出的硅基异质结太阳电池，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
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公开(公告)号：CN117352599A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210741535.9
申请日：2022-06-28
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及异质结太阳能电池领域，具体涉及一种硅异质结电池铜栅线的制备方法。本发明提供一种硅异质结电池铜栅线的制备方法，包括在形成铜种子层的电池正背表面制备油墨层，再刻蚀掉电池侧面的铜种子层和TCO薄膜。该方法仅通过一次掩膜，即实现了电池表面图形化，同时解决了侧面隔离的问题，保证后续电镀工艺中电池侧面不会有金属铜沉积，避免由此导致的电池漏电，提高电池的性能、生产良率和质量。此外，相对于干膜，油墨材料的成本较低，能够显著降低电池的生产成本。
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公开(公告)号：CN116516447A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310606546.0
申请日：2023-05-26
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： C25D17/00
摘要： 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,具体公开了一种模块化异质结电池片铜电极电镀装置，包括导电槽槽体内表面设置有支撑卡接块，阳极导电机构包括阳极导电支架及阳极板组件，阳极板组件滑动连接阳极导电支架，阳极导电支架连接于支撑卡接块，阳极板组件设置有限位调节腔，限位调节腔内抽拉设置有调节挡板；阴极导电机构；阴极导电机构固定安装于导电槽槽体顶部；阴极导电机构包括阴极导电杆及导电支撑组件，阴极导电杆沿轴线方向开设有T型滑槽、阳极导电支架表面开设有固定限位孔，T型滑槽与固定限位孔连通，T型滑槽内滑动连接导电支撑组件，实现对不同规格尺寸电池片进行电镀，装置模块化设置，便于安装调节，以达到更好的电镀效果。
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公开(公告)号：CN116504854A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310543184.5
申请日：2023-05-15
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/05 , H01L31/048
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种异质结电池片及其电池组件。其中包括若干个异质结电池单元，其正面和背面预留分布有电镀焊点，正面和背面上均间隔设有数量相同的铜栅线，异质结电池单元经切割后形成至少两块以上的电池切片，远离所述电镀焊点的电池切片的表面开设有对应的焊盘点；分段式焊带将电镀焊点和焊盘点通过导电胶膜黏接，本发明通过以用铜栅线代替银栅线，同时取消电池片正反两面的主栅线，可大幅度降低异质结电池的制造成本，提高了导电性能；利用切片技术和组件半片工艺，使得本发明不仅可以降低电池片的制作成本，同时提高电池片的受光面积，且铜丝的导电性优于银浆，进一步提高异质结电池组件的转换效率。
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公开(公告)号：CN116435414A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310636875.X
申请日：2023-06-01
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法及异质结电池，包括制备异质结电池基底，并在异质结电池基底正背面沉积透明导电薄膜层；在沉积透明导电薄膜层表面沉积金属种子层；在正面金属种子层表面印刷感光油墨，采用投影扫描曝光电池正表面制备正面掩膜；采用显影液对第二电池片中间体正面未曝光的栅线显影出栅线图形；在电池片背面及侧面采用热熔蜡进行喷墨使在背面及侧面制备掩膜；并进行电镀使电池片正背面得到铜栅线；除去第三电池片中间体正背侧面掩膜，用氧化物及稀硫酸蚀刻电镀金属种子层，上述方法有效降低电池片生产成本，同时提高电池生产良率，工艺更加简单，异质结电池制备效率更高。
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公开(公告)号：CN115763608A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211530546.9
申请日：2022-12-01
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/20
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，包括N型单晶硅片受光面叠设第一N+扩散层、本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶氧化硅层、第三N型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；背光面叠设第二N+扩散层、本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；受光面设置第一N+扩散层，能提供额外的场钝化效果提升少数载流子寿命，背光面引入第二N+层扩散与P型非晶硅层形成更强的PN结内建电场，提高电池转化效率，双面沉积多层非晶硅层，保留高钝化效果，提高电池的光生电流，降低光生载流子传输时的电阻损失。
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公开(公告)号：CN116404072A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310609316.X
申请日：2023-05-26
申请人： 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，主要是通过在硅板表面制绒，对制绒后的硅板清洗，再去除硅板表面的氧化层，通过化学气象沉积法在硅板的表面依次形成一层本征非晶硅和掺杂非晶硅或者微晶硅的薄膜，再通过物理气相沉积法对硅板表面依次沉积一层透明导电氧化层薄膜和一层金属种子层薄膜，对沉积好金属铜种子层的硅片正面、背面依次涂覆一层感光油墨，然后进行烘干，采用某种曝光方式依次对硅片背面、正面的感光油墨进行曝光处理，形成某种主副栅相互垂直的图形，将曝光处理后的硅片传送至化学溶液中进行显影并烘干，最终在硅片正背面呈现出待电镀的沟槽图形，再放入电镀槽体中进行电镀铜处理，最后对镀铜后硅板进行去膜。
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