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公开(公告)号：CN112133784A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910490821.0
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本专利提供了一种基于光刻掩膜法制备N型FSF结构的IBC太阳能电池的方法，硅片依次经过去损伤层步骤、制作选择性发射极步骤、制绒步骤、制作表面场步骤、镀减反射膜步骤、丝网印刷步骤和烧结步骤；在制作交叉型的P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术避免在开窗区附近的硅片引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率。同时，电池前表面的FSF结构与N型硅衬底形成高低结，促使少子空穴向电池背面运输，其中P+发射极以上区域的空穴直接被收集，N+背场以上的空穴平行运动至P+发射极被收集。
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公开(公告)号：CN112071947A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910497148.3
申请日：2019-06-10
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本专利提供了一种P型叉指背接触太阳电池制备方法，选择P型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；对电池正面进行沉积三氧化二铝(AL2O3)做钝化层；对电池背面进行离子注入磷；在硅片正面沉积氮化硅减反射膜；使用激光开槽设备对硅片背表面P区进行开槽；进行RCA清洗；对电池背面P区使用高温扩散炉对硅片进行背面硼扩散；对电池背面P区沉积三氧化二铝(AL2O3)钝化层；进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极；放入烧结炉进行烧结，最终得到IBC电池。通过在电池背面先进行离子注入磷，再通过掩膜工艺使用激光开槽设备对P+区进行激光开槽，然后对P+区进行硼扩散，控制了N+层和P+层的结深与方阻，该制备方法有效提升了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN111490110A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911006562.6
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC电池的电极主栅线结构，包括分别连接正电极和负电极的正电极主栅线和负电极主栅线，所述正电极主栅线的图形结构和所述负电极主栅线的图形结构互不相同，所述正电极主栅线和所述负电极主栅线上分别设置有不同形状结构的凸出部、凹陷部和镂空部中的至少一种形状结构，所述正电极主栅线和所述负电极主栅线连接有细栅线；与现有技术相比，通过将正电极主栅线的图形和负电极主栅线的图形进行区分，从而便于组件焊接时进行区分，减少组件焊接出现错误的概率；通过凹陷部、凸出部和镂空部的设计，提高了主栅线的电流收集能力和降低遮光面积，进而减少浆料的使用降低生产成本，提升电池的转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111564503B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201910828246.0
申请日：2019-09-03
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种一种背结背接触太阳能电池结构及其制备方法，所述电池结构自上而下依次包括：减反层(1)、钝化膜(2)、N+掺杂层(3)、N型硅衬底(4)、背面P+掺杂层(5)及Topcon结构和电池电极；所述背面P+掺杂层(5)及所述Topcon结构交叉分布在同一层；所述Topcon结构为超薄氧化层(6)和N+多晶硅/非晶硅层(7)；所述电池电极包括正电极(8)和负电极(9)；所述正电极(8)与P+掺杂层(5)接触；所述负电极(9)与所述N+多晶硅/非晶硅层(7)接触。通过改变现有技术背面掺杂层的N+背面掺杂区为Topcon结构，不但能提高电池开压同时没有增加工艺流程的复杂度，从根本上降低了电池的度电成本。
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公开(公告)号：CN111477718A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911005954.0
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种简易IBC电池电极制作的工艺，包括电池片、激光打孔、正电极主栅线、负电极主栅线、印刷机和激光刻槽，激光打孔和激光刻槽的工序均为非电极制作工序。本发明通过将激光打孔集成到前道的激光刻槽工序，只需要经过单次电极制作，减少印刷步骤，降低IBC电池的制作难度，降低IBC电池的设备投入和生产制造成本，通过单次电极图形制做，减少丝网印刷工艺，降低了IBC电池的设备投入和生产制造成本，减少IBC电池的印刷制作工序数量，步骤简单易操作，显著降低IBC电池的制造成本，通过将经激光打孔后的电池片，进行电极图形的印刷，然后进行激光刻槽，替换掉原有的绝缘浆料印刷，实现细栅线与主栅线的选择性导电。
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公开(公告)号：CN111477713A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911006563.0
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/05
摘要： 本发明的目的在于公开一种用于IBC光伏组件的焊带，包括基材和覆于所述基材表面的涂层，所述基材上设有应力缓冲槽，所述应力缓冲槽分布在基材的长度方向上和宽度方向上；与现有技术相比，涂层采用Sn、Bi和Pb这三种材料，熔点为160-180℃，可以实现低温焊接并且具有良好的拉力，解决IBC电池的绝缘浆料不耐高温的问题；基材上含有应力缓冲槽，再加上低温焊接，可以有效减小IBC电池焊接时应力集中易裂片的问题；采用真空蒸镀的方法镀涂层，成膜速度快、质量高、厚度可以精准控制，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN112768538A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911006605.0
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC等高效电池的掺杂区结构，包括P型掺杂区和N型掺杂区，所述P型掺杂区与所述N型掺杂区在至少二个方向上互相相间分布，每1个P型掺杂区的周围设置有多个N型掺杂区，每1个N型掺杂区的周围设置有多个P型掺杂区；与现有技术相比，由于P型掺杂区和N型掺杂区在1个以上的多个方向上均相间分布，比普通IBC电池的P型掺杂区和N型掺杂区在水平相间的基础上增加了更多对的PN结，通过细栅线将P型掺杂区和N型掺杂区的电流进行分别引出，且细栅线不再与硅片平行或垂直，图形外观上显得更加的美观，电流的收集更加的高效，因而明显地提升了电池的转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN112054066A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910490815.5
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(9)，负电极(10)，所述P++掺杂区(7)位于所述背表面钝化层(8)中靠近所述正电极(9)的区域，所述背表面P+掺杂层(6)与所述背表面钝化层(8)呈叉指状排列，所述正电极(9)与所述背表面钝化层(8)连接，所述负电极(10)与所述背表面钝化层(5)连接。本发明涉及IBC电池发射极区域两次分步扩散，第一步低掺杂，降低暗饱和电流和少子复合率，第二步高掺杂，降低被正电极收集路径中的串联电阻，进一步提升IBC电池效率。
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公开(公告)号：CN111477698A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911006862.4
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , B23K26/382
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池的电极制备方法，包括如下步骤：S1、对电池片进行激光打孔的制作；S2、对激光打孔后的电池片进行正电极主栅线和细栅线的印刷；S3、进行绝缘浆料的印刷，将需要绝缘的部分采用绝缘浆料进行隔绝；S4、进行负电极主栅线和细栅线的印刷，此时印刷的细栅线与步骤S2中印刷的细栅线图形重合，完成IBC太阳能电池的电极制作；与现有技术相比，由于激光打孔可以集成到前道的激光刻槽工序，剩余只需要经过3次印刷，而且保留了双次印刷的优点，减少印刷步骤，降低IBC电池的制作难度，降低IBC太阳能电池的生产成本，提升了IBC太阳能电池的转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN108987490B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810793139.4
申请日：2018-07-18
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池湿法刻蚀氧化后表层清洁的处理方法，利用制备太阳能电池过程中的PECVD工艺来对硅片表面进行清洁，通过提高硅减反射膜之前的预热温度，以使硅片的受光面的表层的有机物挥发；并且通过控制氨气与硅烷的流量比，使得沉积第一层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量比为3.5:1‑4.5:1，且沉积后续层氮化硅减反射膜的过程中通入的氨气和硅烷的流量比低于该比例值。该方法使氨气过量，过量的氨气在PECVD腔室中被分解为离子团，进而与硅片表层进行反应，去除硅片表面的沾污成分，降低了底层氮化硅减反射膜层与湿法刻蚀后不同膜层的界面态。进而改善表面脏污、有机物的处理效果，达到烧结后外观提升的作用。
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