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公开(公告)号：CN205508065U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201620206356.5
申请日：2016-03-17
申请人： 国家电网公司 , 国网安徽芜湖县供电有限责任公司 , 江苏威信电气科技有限公司 , 张波 , 徐基光 , 王华学 , 徐明 , 周志兵 , 洪诚 , 邵将军 , 陶莹 , 朱文慧 , 丁聪 , 李婷
IPC分类号： G08B21/02
摘要： 本实用新型涉及高压开关柜技术领域，具体涉及一种带电开关柜间隔防误入设备。所述的防误入设备为一体化结构，主要包括信号模块、电源模块、预警模块和通知模块，本实用新型设计开发了一种带电开关柜间隔防误入设备，将带电设备间隔与不带电设备间隔明显区分，对施工人员进行带电提示，当有关人员误入带电间隔违章操作时，设备会在第一时间发出明显、有效的声光告警，告知违章人员停止继续作业，并将报警违规信息提交给相关工作负责人，实现对带电操作的严格监管，有效防止违规操作的发生，即在高压开关柜操作人员误入带电间隔时，安装在高压开关柜上的防误闭锁装置能够及时发出明显的告警信号，从而有效降低事故的发生率。
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公开(公告)号：CN106026160A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610157143.2
申请日：2016-03-17
IPC分类号： H02J3/38
摘要： 本发明涉及电力网络技术领域，具体涉及一种分布式光伏发电防孤岛保护装置。防孤岛保护装置主要为包括CPU模块、交流插件、液晶显示模块、出口模块和电源模块，以过电压、低电压保护、逆功率、高频、低频及自投为基本配置的成套防孤岛保护装置，适用于66KV及以下电压等级的非直接接地系统或经电阻接地系统中的方向防孤岛保护及测控，可在开关柜就地安装，也可组屏安装于控制室。本发明设计开发了一种分布式光伏发电防孤岛保护装置，可以有效切断分布式光伏发电的孤岛运行，确保电力检修工作人员的人身安全，为低压配电网更加可靠、安全、稳定运行提供后备保障。
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公开(公告)号：CN104317339A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410641472.5
申请日：2014-11-13
摘要： 本发明公开了一种环网柜的除湿防凝露智能控制系统及方法，该系统基于热电制冷技术和无线传感器网络技术，采用模糊分数阶PID控制器，实时监测工作环境温、湿度，智能控制除湿；结合功能完备的无线传感器网络平台，用户可以实现现场手持机巡检和远程实时在线监测设备状态的目的。冷凝除湿装置能有效降低空间气体的湿度，预防凝露现象的发生，它具有体积小、运行费用低、使用寿命长、可靠性高的特点，广泛应用于开关柜、配电柜、端子箱等各类封闭柜体的除湿。
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公开(公告)号：CN115233293A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210877742.7
申请日：2022-07-25
申请人： 北京麦竹吉科技有限公司 , 陶莹
发明人： 陶莹
摘要： 本发明涉及硅晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种轻掺P型硅单晶及其制备方法。该方法将硅原料熔化为硅熔体，向硅熔体中通入氢气和氮气，使硅熔体中掺杂氢和氮；掺杂后，采用P‑型直拉法进行拉晶并得到硅单晶。本发明的制备方法，在硅晶生长前，向硅原料的熔体中同时掺入氢气和氮气，使得外延前的单晶硅片中的氧析出物的浓度大幅度提高，并可大幅改善硅单晶的BMD径向的均匀度。在提高BMD浓度的同时，可避免产生有害缺陷堆垛层错。本发明的硅单晶在做成外延片后，可以满足所有先进的逻辑元件的要求，有助于提升良率。
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公开(公告)号：CN115233298A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210876415.X
申请日：2022-07-25
申请人： 北京麦竹吉科技有限公司 , 陶莹
发明人： 陶莹
摘要： 本发明涉及硅单晶生长技术领域，具体而言，涉及一种回浸式不收尾直拉单晶方法及硅单晶。该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈、放肩和等径生长，等径生长结束后，提高硅熔体的受热温度，并保持10~20分钟；将晶体回浸至硅熔体中，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；回浸后，立即提高硅熔体的受热温度，使晶体与液面自然分离，分离后，保持静止；然后继续提拉晶体，待晶体冷却后，得到晶棒。该方法通过将晶体回浸，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；继续快速提拉晶体，使晶体与液面自然分离，不会产生滑移线，可不用收尾。该方法具有高效、节省能源和原料、操作简单等优点。
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公开(公告)号：CN115233297A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210878287.2
申请日：2022-07-25
申请人： 北京麦竹吉科技有限公司 , 陶莹
发明人： 陶莹
摘要： 本发明涉及硅单晶生长技术领域，具体而言，涉及一种不收尾的直拉单晶方法及硅单晶。该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈、放肩和等径生长，等径生长结束后，降低晶体的转速和所述硅熔体的受热温度，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；快速将晶体提拉至与硅熔体的液面分离的位置；分离后，停止提拉晶体；继续提拉晶体，待晶体冷却后，得到晶棒。该方法有效降低了晶体与硅熔体的固液界面下面的强迫对流强度，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；快速提高拉速，可使晶体与液面快速分离，不会产生滑移线，可不用收尾。该方法具有高效、节省能源和原料、操作简单等优点。
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公开(公告)号：CN115233296A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210876599.X
申请日：2022-07-25
申请人： 北京麦竹吉科技有限公司 , 陶莹
发明人： 陶莹
摘要： 本发明涉及一种加热器、拉晶炉和消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，涉及单晶硅晶体生长领域，加热本体为圆筒形，拉晶炉的导流筒架设于坩埚上方，加热本体安装于导流筒内侧。消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，采用所述的拉晶炉实现，单晶硅棒拉出液面后，利用所述加热本体对单晶硅棒进行加热并使单晶硅棒保持在950℃以上，保持时间为至少15小时。有益效果是：加热器保证硅棒在一定时间里保持拉出的晶体在950℃以上，利用加热本体对拉出液面的硅棒进行保温，让自我间隙的硅原子有足够的时间向单晶硅棒外表面这个自由界面扩散，从而在大直径硅棒中消除这种微观点缺陷。
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公开(公告)号：CN115233292A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210876601.3
申请日：2022-07-25
申请人： 北京麦竹吉科技有限公司 , 陶莹
发明人： 陶莹
摘要： 本发明涉及单晶硅生长技术领域，具体而言，涉及一种低电阻率硅单晶及其制备方法。该制备方法先将硼掺杂剂和硅原料混合并完全熔解，得到熔体，再向所述熔体中加入镓金属单质，最后，采用籽晶提拉生长，得到硅单晶。该低电阻率硅单晶采用上述的制备方法制备而成。该硅单晶为P型硅单晶，电阻率为0.001~0.003欧姆‑米。该制备方法通过掺杂镓，可以实现对低电阻率硅单晶进行晶格补偿，有效防止提拉生长过程中硅单晶内的晶格畸变而降低晶体缺陷。该制备方法先加入硼掺杂剂，再加入镓元素；防止在长时间的原料融化过程中镓元素的损失量较大，导致晶格补偿效果降低。
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公开(公告)号：CN115094518A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210697737.8
申请日：2022-06-20
申请人： 陶莹 , 北京麦竹吉科技有限公司
发明人： 陶莹
摘要： 本发明涉及一种控制大直径单晶硅棒直径的加热器、拉晶炉和方法，涉及单晶硅晶体生长领域，加热器为倒锥台形且上下均敞口的筒状。拉晶炉包括所述的控制大直径单晶硅棒直径的加热器。控制大直径单晶硅棒直径的方法，采用所述的控制大直径单晶硅棒直径的拉晶炉实现。有益效果是：加热器可以尽可能的靠近三相点，加热器升高功率与降低功率所增加和减少的热量，能快速反应在直径变化上。便于从单晶炉的正前方人工观察单晶硅棒的情况，便于拉晶炉内斜上方的感应器或监控相机监测硅棒状态，不遮挡视线或监测设备。
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公开(公告)号：CN115233298B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210876415.X
申请日：2022-07-25
申请人： 北京麦竹吉科技有限公司 , 陶莹
发明人： 陶莹
摘要： 本发明涉及硅单晶生长技术领域，具体而言，涉及一种回浸式不收尾直拉单晶方法及硅单晶。该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈、放肩和等径生长，等径生长结束后，提高硅熔体的受热温度，并保持10~20分钟；将晶体回浸至硅熔体中，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；回浸后，立即提高硅熔体的受热温度，使晶体与液面自然分离，分离后，保持静止；然后继续提拉晶体，待晶体冷却后，得到晶棒。该方法通过将晶体回浸，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；继续快速提拉晶体，使晶体与液面自然分离，不会产生滑移线，可不用收尾。该方法具有高效、节省能源和原料、操作简单等优点。
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