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公开(公告)号：CN118600530A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410704897.X
申请日：2024-06-03
申请人： 江苏卓远半导体有限公司
摘要： 本发明公开一种大直径硅晶棒生长工艺，包括通过直拉法生长单晶硅晶棒，其中在生长单晶硅的放肩阶段，将硅溶液的温度逐步降至1450℃‑1550℃，坩埚的温度逐步降至1400℃‑1500℃，然后保持温度；逐步降温的同时将籽晶的拉速逐步降低至30mm/h‑35.8mm/h内波动，使得硅单晶晶棒的的直径渐渐增大所需大小；其中在生长单晶硅的等径阶段，保持放肩阶段的末段拉速。本发明的有益效果是：本技术方案首先通过对坩埚侧壁的进行温度的精准控制，使得坩埚侧壁的温度低于硅溶液的温度，其温度差在50‑100℃，这样就可以降低硅溶液内的硅元素在坩埚侧壁附近的活性，同时会引起单晶生长不良的因子则会聚集在坩埚侧壁附近，从而使得大直径单晶硅晶棒的生长的成功率和品质均得到提高。
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公开(公告)号：CN118581565A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411074055.7
申请日：2024-08-07
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明提供了一种导模法生长晶体的结晶界面确定方法和装置，涉及晶体生长技术领域。所述方法包括：在目标计算域的温度不平衡的情况下，对目标计算域进行稳态计算，得到温度场；在三维非轴对称结晶界面的温度不满足预设条件的情况下，获取计算参数并根据计算参数，计算目标网格节点的移动参数；按照移动参数，控制目标网格节点进行移动，得到调整后的三维非轴对称结晶界面；在目标计算域的温度平衡、三维非轴对称结晶界面的温度满足预设条件时，将三维非轴对称结晶界面确定为目标结晶界面。本发明实施例实现了目标结晶界面的确定，提高了基于目标结晶界面对目标晶体的生长过程进行控制的准确性。
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公开(公告)号：CN118516752A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310323994.X
申请日：2023-03-29
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种工艺参数修正方法。该方法包括：根据长度功率关系信息和第一拉速控制功率调整量，调整直拉单晶设备的设定功率，检测晶体生长处的变形程度，当等径长度达到预设长度节点，将第一拉速控制功率调整量作为功率修正量，根据变形程度、变形阈值和预设关系系数，确定拉速修正量，根据多次的功率修正量和拉速修正量，修正长度功率关系信息和长度拉速关系信息，以便根据修正后的长度功率关系信息和第二拉速控制功率调整量，调整设定功率，使得针对各个直拉单晶设备分别修正出最适合的长度功率关系信息和长度拉速关系信息，从而解决目标拉速设置不合理，没有充分发挥各个设备及热场的潜力，造成资源浪费的问题，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN115044967B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210749785.7
申请日：2022-06-28
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
发明人： 毛勤虎
摘要： 本发明提供了一种单晶硅拉晶控制方法及装置、单晶硅拉晶炉，属于半导体技术领域。单晶硅拉晶控制装置包括：电源模块，电源模块的一端与坩埚轴连接，另一端与籽晶提拉结构连接，用于提供电信号以在籽晶提拉结构固定的晶体与石英坩埚内的硅溶液接触时，在坩埚轴、石英坩埚、石墨坩埚、硅溶液、晶体和籽晶提拉结构之间形成电流回路；测量模块，用于实时测量电流回路中的实际电流值；控制模块，用于根据晶体尾部的目标直径确定目标电流值，将实际电流值与目标电流值比较，根据比较结果控制籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或加热器的功率。本发明能够对单晶硅尾部的直径进行控制。
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公开(公告)号：CN117587500A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311841294.6
申请日：2023-12-29
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 云南美科新能源发展有限公司
摘要： 本发明涉及单晶硅制备技术领域，具体涉及一种提高直拉单晶硅成晶率的方法，包括对硅原料加热全熔的温度调控，对熔接过程中各阶段的温度调控，对引晶和等径液口距的调控，对引晶功率和等径功率的调控以及对引晶拉速和放肩时长的调控。本发明通过对硅原料全熔、熔接、引晶、放肩以及等径生长工序中的参数进行调控，实现减少单晶硅棒断线，提高单晶硅棒产量，提高单晶硅棒成晶率的目的。
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公开(公告)号：CN117144464A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210562143.6
申请日：2022-05-23
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种转肩启动时机确定方法、装置、设备及介质。该方法包括：在直拉单晶的放肩阶段中，每隔设定时长，获取特征数据，特征数据包括控制数据和监测数据，将特征数据输入直径差预测模型，直径差预测模型通过特征数据样本，以及对应标记的转肩阶段完成时的样本晶体直径差训练得到；样本晶体直径差为实际直径和期望直径的差，根据特征数据，由直径差预测模型生成转肩阶段完成时的预测直径差，在预测直径差符合预设条件的情况下，确定转肩阶段的启动时机，使得转肩阶段完成时的晶体直径差能够提前被预测，并据此确定转肩阶段的启动时机，解决了转肩时机不好把控的问题，避免转肩阶段过早或过晚启动，提高了转肩时机确定的准确性。
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公开(公告)号：CN117127253A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311101671.2
申请日：2023-08-30
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 一种基于双重PID的单晶平均拉速控制方法，包括：在单晶硅拉制的等径过程中，实时对晶棒直径的波动量进行监测，并根据监测到的晶棒直径的波动量对第一套PID控制算法和第二套PID控制算法进行切换，以实现对单晶硅平均拉速的精准控制；其中，第二套PID控制算法的瞬时干预量大于第一套PID控制算法的瞬时干预量。本方案能够提高晶棒平均拉速的控制精度，进而减少因拉速波动的原因所产生的微缺陷数量，提高晶棒的品质。
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公开(公告)号：CN117071056A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310943416.6
申请日：2023-07-28
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , G06Q10/04 , G06F30/20 , G06F18/214 , G06F18/23 , G06F111/04 , G06F119/08
摘要： 本发明提出一种单晶炉收尾控制方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取单晶炉历史收尾时的历史晶体尾部轮廓直径，以及与历史晶体尾部轮廓直径相关的特征工艺参数；基于历史晶体尾部轮廓直径与特征工艺参数，构建晶体尾部轮廓直径预测模型；预测出实时特征工艺参数对应的实时晶体尾部轮廓直径；基于实时晶体尾部轮廓直径与实时晶体长度，确定单晶炉实时收尾时的最优工艺参数，将最优工艺参数作为单晶炉下一时刻收尾时的目标特征工艺参数，由此，基于晶体尾部轮廓直径预测模型预测的实时晶体尾部轮廓直径，准确确定出单晶炉实时收尾时的最优工艺参数，实现单晶炉收尾工艺的合理性、高效性，提高收尾成功率。
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公开(公告)号：CN116615582A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180085611.9
申请日：2021-11-18
申请人： 环球晶圆股份有限公司
IPC分类号： C30B15/22
摘要： 一种测量系统包含界定中心通道及开口的反射器、测量组合件以及控制器。所述测量组合件包含具有通过所述开口可见的头部的运行销、通过所述反射器中的所述开口捕获图像的相机及通过所述开口将相干光传输到所述运行销的所述头部以在硅熔体的表面上产生所述运行销的反射的激光器。所述控制器经编程以控制所述激光器以将来自所述激光器的相干光引导到所述运行销，在将所述相干光引导在所述运行销处的同时通过所述开口控制所述相机捕获图像，及基于所述经捕获图像中的所述运行销的所述反射的位置确定所述硅熔体的所述表面与所述反射器的底面之间的距离。
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公开(公告)号：CN116356417A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111621099.3
申请日：2021-12-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种转肩启动方法、装置、设备及介质。该方法包括：在本次直拉单晶过程中，获取放肩阶段中的特征数据，其中，特征数据包括与转肩阶段完成时的晶体直径相关的运行数据，将特征数据输入直径预测模型，根据特征数据，由直径预测模型生成转肩阶段完成时的预测直径，根据预测直径和目标直径之间的差值，控制转肩阶段启动，以使转肩阶段完成时的晶体直径与目标直径之间的差值小于预设差值，使得转肩阶段完成时的晶体直径能够提前被预测，对转肩阶段的启动进行控制，避免转肩阶段过早或过晚启动，缩短了放肩阶段和转肩阶段的无效时间，从而降低了晶体头部的含氧量，而且避免晶体直径过粗或过细，从而降低了等径的头部阶段的断线率。
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