一种基于冷金属的负微分电阻二极管

    公开(公告)号:CN114400251A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111664723.8

    申请日:2021-12-31

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明涉及一种负微分电阻二极管,尤其是涉及一种基于冷金属的负微分电阻二极管,包括衬底以及设置在衬底上的电极,所述电极之间设有冷金属材质的范德华异质结。因此,本发明具有如下优点:1、本发明不同于现有的基于半导体材料的NDR器件,而是采用了基于“冷”金属材料的异质结,由于其金属性和独特的能带结构成功实现了极大的峰值电流,峰值电流相较于现有的隧道二极管高出数个数量级。2、本发明的“冷”金属异质结NDR器件能够同时产生极大的电流峰谷比和峰值电流。一方面更大的电流峰谷比和峰值电流可以提高器件的噪音容限,另一方面,更高的峰值电流提高了NDR器件的输出功率,从而提高了负阻振荡器的稳定性。

    一种基于冷金属的负微分电阻二极管

    公开(公告)号:CN114400251B

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202111664723.8

    申请日:2021-12-31

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明涉及一种负微分电阻二极管,尤其是涉及一种基于冷金属的负微分电阻二极管,包括衬底以及设置在衬底上的电极,所述电极之间设有冷金属材质的范德华异质结。因此,本发明具有如下优点:1、本发明不同于现有的基于半导体材料的NDR器件,而是采用了基于“冷”金属材料的异质结,由于其金属性和独特的能带结构成功实现了极大的峰值电流,峰值电流相较于现有的隧道二极管高出数个数量级。2、本发明的“冷”金属异质结NDR器件能够同时产生极大的电流峰谷比和峰值电流。一方面更大的电流峰谷比和峰值电流可以提高器件的噪音容限,另一方面,更高的峰值电流提高了NDR器件的输出功率,从而提高了负阻振荡器的稳定性。

    一种基于冷金属的负微分电阻MOSFET管

    公开(公告)号:CN114400252A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111671050.9

    申请日:2021-12-31

    Applicant: 武汉大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于冷金属的负微分电阻MOSFET管,包括上层栅介质层、下层栅介质层、设置在栅介质层上的上层删电极和下层删电极,源极、漏极以及沟道设置在上层栅介质层和下层栅介质层之间,所述源极为冷金属材质。因此,本发明具有如下优点:1、本发明采用“冷”金属作为MOSFET的源极,“冷”金属源极独特的带隙结构使其能实现优异的NDR性能。同时高迁移率半导体确保其能产生较大的峰值电流。此外,调节MOSFET的栅极电压还可以有效调控MOSFET的峰值电流和电流峰谷比。2、本发明可以提高器件的噪音容限和NDR器件的输出功率,从而提高负阻振荡器的稳定性。

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