一种固体电介质材料陷阱参数采集系统

    公开(公告)号:CN104198823A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410458790.8

    申请日:2014-09-10

    Abstract: 本发明公开了一种固体电介质材料陷阱参数采集系统,包括恒温箱以及设置在恒温箱内的三电极电晕充电系统、表面电位测量系统、旋转支撑系统和温度控制系统;三电极电晕充电系统包括从上至下同轴设置的多针电极和接地的金属圆盘电极;表面电位测量系统包括设置在可调式绝缘固定架上的电容式静电探头;旋转支撑系统包括绝缘支撑架,金属铝板的上表面设置有金属转盘、有金属加热盒;温度控制系统包括第一加热装置和第二加热装置。本发明能够地进行固体电介质材料的陷阱能级和陷阱密度参数的采集,具有适用范围广、测量精度高、操作简单方便的特点,为固体电介质表面带电现象及其对沿面闪络性能影响等方面的研究提供一种有效的分析手段。

    一种绝缘材料表面电荷二维分布自动测量系统

    公开(公告)号:CN104166055A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201410458865.2

    申请日:2014-09-10

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘材料表面电荷二维分布自动测量系统,包括内部设置有二维电控位移台的密闭腔体,待测试品通过竖直设置的背板电极固定在二维电控位移台上,待测试品的上下两端分别连接高压电极和接地电极;一维磁耦合直线旋转驱动器的运动端设置有绝缘夹具,Kelvin探头固定在绝缘夹具上,Kelvin探头的探测点垂直于待测试品,Kelvin探头的输出信号引线密闭腔体外部的静电电位计连接,静电电位计的信号输出端连接计算机的数据采集系统,密闭腔体的另一侧设置有连接管,连接管的末端设置有真空泵。本发明用于测量绝缘材料的表面电荷密度二维分布,丰富了绝缘材料的闪络特性研究内容和电荷分布测量的手段。

    一种绝缘材料表面电荷二维分布自动测量系统

    公开(公告)号:CN203965529U

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201420518070.1

    申请日:2014-09-10

    Abstract: 本实用新型公开了一种绝缘材料表面电荷二维分布自动测量系统,包括内部设置有二维电控位移台的密闭腔体,待测试品通过竖直设置的背板电极固定在二维电控位移台上,待测试品的上下两端分别连接高压电极和接地电极;一维磁耦合直线旋转驱动器的运动端设置有绝缘夹具,Kelvin探头固定在绝缘夹具上,Kelvin探头的探测点垂直于待测试品,Kelvin探头的输出信号引线密闭腔体外部的静电电位计连接,静电电位计的信号输出端连接计算机的数据采集系统,密闭腔体的另一侧设置有连接管,连接管的末端设置有真空泵。本实用新型用于测量绝缘材料的表面电荷密度二维分布,丰富了绝缘材料的闪络特性研究内容和电荷分布测量的手段。

    一种固体电介质材料陷阱参数采集系统

    公开(公告)号:CN203965524U

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201420518081.X

    申请日:2014-09-10

    Abstract: 本实用新型公开了一种固体电介质材料陷阱参数采集系统,包括恒温箱以及设置在恒温箱内的三电极电晕充电系统、表面电位测量系统、旋转支撑系统和温度控制系统;三电极电晕充电系统包括从上至下同轴设置的多针电极和接地的金属圆盘电极;表面电位测量系统包括设置在可调式绝缘固定架上的电容式静电探头;旋转支撑系统包括绝缘支撑架,金属铝板的上表面设置有金属转盘、有金属加热盒;温度控制系统包括第一加热装置和第二加热装置。本实用新型能够地进行固体电介质材料的陷阱能级和陷阱密度参数的采集,具有适用范围广、测量精度高、操作简单方便的特点,为固体电介质表面带电现象及其对沿面闪络性能影响等方面的研究提供一种有效的分析手段。

    一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法

    公开(公告)号:CN103776858B

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201410023001.8

    申请日:2014-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法。测量装置主要由转动平台、样品台、加热装置、法拉第筒、电流放大器及收集极等组成。法拉第筒内壁镀有一层碳,与偏压装置及电流放大装置相连,用于测量入射一次电流。收集极为平板结构,上表面涂有一层荧光粉,方便调节和聚焦电子束光斑;下表面镀有一层碳,抑制在收集过程中电子倍增现象的发生。收集极与偏压装置及电流放大装置相连,用以测量材料表面发射的二次电子流。通过转动装置可以实现多块样品的同时测量,节省了测量时间。加热装置及温度控制装置可以将样品温度精确控制在30~300℃范围,用以研究温度对二次电子发射系数的影响。本发明为测量二次电子发射系数提供了一种新的电子收集装置,实现不同温度下二次电子发射系数的测量。

    一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法

    公开(公告)号:CN103776858A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201410023001.8

    申请日:2014-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种测量二次电子发射系数的平板型收集装置及测量方法。测量装置主要由转动平台、样品台、加热装置、法拉第筒、电流放大器及收集极等组成。法拉第筒内壁镀有一层碳,与偏压装置及电流放大装置相连,用于测量入射一次电流。收集极为平板结构,上表面涂有一层荧光粉,方便调节和聚焦电子束光斑;下表面镀有一层碳,抑制在收集过程中电子倍增现象的发生。收集极与偏压装置及电流放大装置相连,用以测量材料表面发射的二次电子流。通过转动装置可以实现多块样品的同时测量,节省了测量时间。加热装置及温度控制装置可以将样品温度精确控制在30~300℃范围,用以研究温度对二次电子发射系数的影响。本发明为测量二次电子发射系数提供了一种新的电子收集装置,实现不同温度下二次电子发射系数的测量。

    一种聚合物绝缘材料电晕加速老化的装置及方法

    公开(公告)号:CN103278752A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310156260.3

    申请日:2013-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种聚合物绝缘材料电晕加速老化的装置及方法,包括密闭的电晕老化实验箱,电晕老化实验箱内设有针阵列电极和金属板电极;针阵列电极与高压发生装置相连接,金属板电极接地;针阵列电极上设有针尖阵列,试样放置在金属板电极上并正对针尖阵列;施加电压后,针阵列电极和金属板电极之间产生均匀的电晕放电对试样进行电晕老化。本发明具有实验条件要求低,操作方便,实验周期短,实验中老化因素便于定量控制的优点,适用于实验室中对绝缘材料耐电晕老化特性研究。

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