一种超小外径抗弯曲单模光纤
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117434640A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311394422.7

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明涉及一种超小外径抗弯曲单模光纤,包括有纤芯层、包层和涂覆层,其特征在于所述的纤芯层相对折射率差△n1为1.0~1.5%,直径D1为11~13μm,所述的包层从内到外依次包括内包层、下陷包层和外包层,所述的内包层相对折射率差△n2为‑0.3~‑0.7%,直径D2为19~25μm,所述的下陷包层相对折射率差△n3为‑1.0~‑1.6%,直径D3为28~35μm,所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层,直径D4为123~125μm,外包层外面为涂覆层,所述的涂覆层包括内涂覆层和外涂覆层,所述的内涂覆层直径为140~155μm,所述的外涂覆层直径即光纤外径为155~180μm。本发明外径相比于常规单模光纤245μm的外径减小30%以上,通过优化光纤剖面设计和涂覆层理化特性,在减小涂覆层直径的前提下能有效保证光纤的弯曲性能、机械性能以及光学传输性能。

    一种超低衰减大有效面积单模光纤

    公开(公告)号:CN110954985B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201911366738.9

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为8~10μm,芯层的相对折射率Δn1为‑0.10~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层,所述的内包层半径r2为11~15μm,相对折射率Δn2为‑0.15~‑0.40%,所述的下陷内包层半径r3为16~50μm,相对折射率Δn3为‑0.30~‑0.70%,所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层,相对折射率Δn4为‑0.15~‑0.60%。本发明特有的粘度匹配设计:芯层为非纯硅芯,具有锗和氟共掺的特点,同时进行氯掺杂工艺,降低光纤的粘度,加速玻璃的结构弛豫,优化光纤各个部分粘度和光纤应力,实现大有效面积和超低衰减的单模光纤性能。

    一种超低衰减大有效面积单模光纤

    公开(公告)号:CN110954985A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911366738.9

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为8~10μm,芯层的相对折射率Δn1为-0.10~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层,所述的内包层半径r2为11~15μm,相对折射率Δn2为-0.15~-0.40%,所述的下陷内包层半径r3为16~50μm,相对折射率Δn3为-0.30~-0.70%,所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层,相对折射率Δn4为-0.15~-0.60%。本发明特有的粘度匹配设计:芯层为非纯硅芯,具有锗和氟共掺的特点,同时进行氯掺杂工艺,降低光纤的粘度,加速玻璃的结构弛豫,优化光纤各个部分粘度和光纤应力,实现大有效面积和超低衰减的单模光纤性能。

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