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公开(公告)号：CN115102034A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210882367.5
申请日：2018-02-07
申请人： 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
摘要： 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述光学谐振器结构具有凹槽被完全去除的光栅，或者具有在凹槽中露出电极的光栅。
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公开(公告)号：CN109792134A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201880003730.3
申请日：2018-02-07
申请人： 国立大学法人九州大学
IPC分类号： H01S5/36
摘要： 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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公开(公告)号：CN109792134B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880003730.3
申请日：2018-02-07
申请人： 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
IPC分类号： H01S5/36
摘要： 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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公开(公告)号：CN105580153A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480051330.1
申请日：2014-09-12
申请人： 国立大学法人九州大学
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5096 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5024 , H01L2251/55
摘要： 本发明的有机电致发光元件的单重激发态的产生效率较高，能够获得较高的发光效率，该有机电致发光元件的特征在于：于一对电极间(2)、(9)具有包含发光层(5)、及含有供体化合物及受体化合物的延迟荧光激发复合物层(7)的至少2层有机层。
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公开(公告)号：CN104204132A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380019213.2
申请日：2013-04-08
申请人： 国立大学法人九州大学
IPC分类号： C09K11/06 , C07D209/08 , C07D209/86 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0072 , C07D209/08 , C07D209/18 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , H01L51/0054 , H01L51/0067 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/5016
摘要： 发光层中具有下述通式所示的化合物的有机发光元件的发光效率高。下述通式中，R1～R5中至少一者表示氰基，R1～R5中至少一者表示9-咔唑基、1,2,3,4-四氢-9-咔唑基、1-吲哚基或二芳基氨基，剩余的R1～R5表示氢原子或取代基。
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