公开(公告)号：CN101035742B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200580032594.3

申请日：2005-09-22

申请人： 国立大学法人电气通信大学 ,  电气化学工业株式会社

发明人： 野崎真次 ,  内田和男 ,  森崎弘 ,  川崎卓 ,  伊吹山正浩

IPC分类号： C01B33/18 ,  C01B33/113

CPC分类号： C01B33/113 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/30 ,  C09C1/3009 ,  C09K11/592

摘要： 本发明涉及内部存在晶体硅的SiOx粒子的制造方法、用该制法得到的SiOx粉末、成型体、由该成型体得到的半导体元件、发光元件。本发明通过SiOx粒子制造方法提供一种可用作半导体元件的纳米级的晶体硅粒，该SiOx粒子制造方法的特征在于，对内部存在粒径0.5～5nm的非晶硅粒的SiOx(x为0.5以上、小于2.0)粒子照射光，优选照射激光，生成内部存在粒径1～10nm的晶体硅粒的SiOx粒子(x为0.5以上、小于2.0)。本发明作为新型的发光元件或电子器件等功能性材料，可适用于多种用途，在产业上非常有用。

公开(公告)号：CN101035742A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580032594.3

申请日：2005-09-22

申请人： 国立大学法人电气通信大学 ,  电气化学工业株式会社

发明人： 野崎真次 ,  内田和男 ,  森崎弘 ,  川崎卓 ,  伊吹山正浩

IPC分类号： C01B33/18 ,  C01B33/113

CPC分类号： C01B33/113 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/30 ,  C09C1/3009 ,  C09K11/592

摘要： 本发明涉及内部存在晶体硅的SiOx粒子的制造方法、用该制法得到的SiOx粉末、成型体、由该成型体得到的半导体元件、发光元件。本发明通过SiOx粒子制造方法提供一种可用作半导体元件的纳米级的晶体硅粒，该SiOx粒子制造方法的特征在于，对内部存在粒径0.5～5nm的非晶硅粒的SiOx(x为0.5以上、小于2.0)粒子照射光，优选照射激光，生成内部存在粒径1～10nm的晶体硅粒的SiOx粒子(x为0.5以上、小于2.0)。本发明作为新型的发光元件或电子器件等功能性材料，可适用于多种用途，在产业上非常有用。

公开(公告)号：CN104662669A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380048901.1

申请日：2013-06-26

申请人： 国立大学法人电气通信大学 ,  日本电业工作株式会社

发明人： 野崎真次 ,  内田和男 ,  黑川真吾 ,  古川实 ,  白土正

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/321 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种整流元件，其包括：第1电极，其具有第1功函数；第2电极，其具有比上述第1功函数大的第2功函数；以及半导体层，其具有值在上述第1功函数与上述第2功函数之间的第3功函数，并且与上述第1电极和上述第2电极接触。优选将上述半导体层设定为在上述第1电极与上述第2电极之间不施加偏置电压的状态下会完全耗尽的厚度。由此，能够提供可实现高速的开关特性和充分的整流特性的整流元件。