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公开(公告)号：CN101035742B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200580032594.3
申请日：2005-09-22
Applicant: 国立大学法人电气通信大学 , 电气化学工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/113
CPC classification number: C01B33/113 , B82Y30/00 , C01P2004/64 , C09C1/30 , C09C1/3009 , C09K11/592
Abstract: 本发明涉及内部存在晶体硅的SiOx粒子的制造方法、用该制法得到的SiOx粉末、成型体、由该成型体得到的半导体元件、发光元件。本发明通过SiOx粒子制造方法提供一种可用作半导体元件的纳米级的晶体硅粒，该SiOx粒子制造方法的特征在于，对内部存在粒径0.5～5nm的非晶硅粒的SiOx(x为0.5以上、小于2.0)粒子照射光，优选照射激光，生成内部存在粒径1～10nm的晶体硅粒的SiOx粒子(x为0.5以上、小于2.0)。本发明作为新型的发光元件或电子器件等功能性材料，可适用于多种用途，在产业上非常有用。
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公开(公告)号：CN101035742A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580032594.3
申请日：2005-09-22
Applicant: 国立大学法人电气通信大学 , 电气化学工业株式会社
IPC: C01B33/18 , C01B33/113
CPC classification number: C01B33/113 , B82Y30/00 , C01P2004/64 , C09C1/30 , C09C1/3009 , C09K11/592
Abstract: 本发明涉及内部存在晶体硅的SiOx粒子的制造方法、用该制法得到的SiOx粉末、成型体、由该成型体得到的半导体元件、发光元件。本发明通过SiOx粒子制造方法提供一种可用作半导体元件的纳米级的晶体硅粒，该SiOx粒子制造方法的特征在于，对内部存在粒径0.5～5nm的非晶硅粒的SiOx(x为0.5以上、小于2.0)粒子照射光，优选照射激光，生成内部存在粒径1～10nm的晶体硅粒的SiOx粒子(x为0.5以上、小于2.0)。本发明作为新型的发光元件或电子器件等功能性材料，可适用于多种用途，在产业上非常有用。
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公开(公告)号：CN1429405A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01809332.9
申请日：2001-05-07
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B33/113 , C23C14/10 , H01L21/768
CPC classification number: C23C14/10 , C01B33/113 , C23C14/32 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: 一种低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置。不用碱金属、氟等，耐热性优良的低相对介电常数SiOx膜、实现相对介电常数比该低相对介电常数SiOx膜更低、绝缘性添强的SiOx膜的改性方法、及通过将低相对介电常数SiOx膜作为金属配线的层间绝缘膜，能提供膜上无裂缝、不会剥离、可靠性高的半导体装置。上述低相对介电常数SiOx其特征为，膜由SiOx为主要成分(但，1.8≥X≥1.0)的多孔物质组成，在1MHZ中的相对介电常数为3以下。
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公开(公告)号：CN1197134C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01809332.9
申请日：2001-05-07
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B33/113 , C23C14/10 , H01L21/768
CPC classification number: C23C14/10 , C01B33/113 , C23C14/32 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: 一种低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置。不用碱金属、氟等，耐热性优良的低相对介电常数SiOx膜、实现相对介电常数比该低相对介电常数SiOx膜更低、绝缘性添强的SiOx膜的改性方法、及通过将低相对介电常数SiOx膜作为金属配线的层间绝缘膜，能提供膜上无裂缝、不会剥离、可靠性高的半导体装置。上述低相对介电常数SiOx其特征为，膜由SiOx为主要成分(但，1.8≥X≥1.0)的多孔物质组成，在1MHZ中的相对介电常数为3以下。
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