公开(公告)号：CN111602465A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201980008403.1

申请日：2019-02-07

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 渡边雄一 ,  植村圣 ,  西冈将辉 ,  宫川正人 ,  中村考志

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/74 ,  H05B6/78 ,  H05B6/80

Abstract: 微波加热方法，是利用微波的微波加热方法，其中，控制所述微波的频率以形成单模驻波；将被加热对象物配置在采用所述驻波所形成的磁场强度变得均匀且极大的磁场区域；采用通过所述磁场区域的磁场作用而产生的磁损耗引起的磁发热、和/或通过所述磁场区域的磁场而在所述被加热对象物内所产生的感应电流引起的感应加热，将所述被加热对象物加热。

公开(公告)号：CN117356175A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280036849.7

申请日：2022-04-28

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 植村圣 ,  中村考志 ,  西冈将辉 ,  上野尚子

IPC: H05K3/34

Abstract: 一种电子部件的安装方法，其中，所述电子部件的安装方法包含：在将电磁波屏蔽件施加于多个焊料部中的一部分的焊料部的状态下对电子部件安装用基板照射微波，利用通过该微波照射而形成的驻波的磁场的作用，至少对未施加电磁波屏蔽件的焊料部进行加热熔融，所述电子部件安装用基板具有：基材；该基材上的该多个焊料部；以及多个电子部件，所述多个电子部件以与该多个焊料部对应地与该多个焊料部相接的方式配设。

公开(公告)号：CN111602465B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201980008403.1

申请日：2019-02-07

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 渡边雄一 ,  植村圣 ,  西冈将辉 ,  宫川正人 ,  中村考志

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/74 ,  H05B6/78 ,  H05B6/80

Abstract: 微波加热方法，是利用微波的微波加热方法，其中，控制所述微波的频率以形成单模驻波；将被加热对象物配置在采用所述驻波所形成的磁场强度变得均匀且极大的磁场区域；采用通过所述磁场区域的磁场作用而产生的磁损耗引起的磁发热、和/或通过所述磁场区域的磁场而在所述被加热对象物内所产生的感应电流引起的感应加热，将所述被加热对象物加热。

公开(公告)号：CN114731764A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080079082.7

申请日：2020-11-10

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 金泽贤司 ,  植村圣 ,  西冈将辉 ,  中村考志

IPC: H05K3/34

Abstract: 安装用布线基板、使用该安装用布线基板的电子部件安装基板、该电子部件的安装方法、对隔着发热图案而配置的被加热对象物进行加热的微波加热方法以及微波加热装置，该安装用布线基板包括：基材；电极部，配置于基材上；以及发热图案，配置于电极部上并通过微波的驻波被加热，其中，发热图案的占有面积小于电极部上表面的面积。

公开(公告)号：CN111149428A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880062953.7

申请日：2018-11-28

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 西冈将辉 ,  宫川正人

IPC: H05B6/80 ,  B01J19/12 ,  H05B6/64 ,  H05B6/74

Abstract: 本发明提供一种微波处理装置，具有：空腔共振器，具有形成微波的驻波的空腔；以及电介质部，占据所述空腔的容积的5分之1以上地配置于该空腔，在所述空腔共振器内通到该空腔共振器中的至少一端面侧地配置被处理对象物，利用所述驻波对所述被处理对象物进行处理。